인텔, 2세대 P램 칩 내년 출시… 삼성·SK 안방서 차세대 메모리 전략 공개
인텔, 2세대 P램 칩 내년 출시… 삼성·SK 안방서 차세대 메모리 전략 공개
  • 한주엽 기자
  • 승인 2019.09.26 15:00
  • 댓글 0
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26일 서울서 메모리&스토리지 데이 2019 열어
롭 크룩 인텔 비휘발성 메모리 솔루션 그룹 총괄 수석부사장은 26일 서울 동대문 JW메리어트호텔에서 열린 자체 행사 ‘메모리&스토리지 데이 2019’에서 자사 메모리 제품군을 소개하고 있다.
롭 크룩 인텔 비휘발성 메모리 솔루션 그룹 총괄 수석부사장은 26일 서울 동대문 JW메리어트호텔에서 열린 자체 행사 ‘메모리&스토리지 데이 2019’에서 자사 메모리 제품군을 소개하고 있다.

인텔이 기존 대비 성능과 원가경쟁력을 높인 2세대 상변화메모리(P램)를 내년 출시한다. 전통 비휘발성 메모리인 3D 낸드플래시 분야에선 96단 쿼드레벨셀(QLC) 제품 상용화 소식을 전했다. 144단 QLC 3D 낸드 역시 내년에 출시한다는 계획을 밝혔다.

인텔이 한국에서 글로벌 기술 발표회를 연 것은 이번이 처음이다. 국내 메모리 업계는 인텔의 이 같은 행보를 일종의 ‘선전포고’로 받아들이고 있다. 컴퓨터 중앙처리장치(CPU) 시장에서 독점적 지위를 가진 인텔이 메모리 분야에 본격 뛰어들고 있다는 사실에 다소 불편한 의중을 드러내면서도 상황을 예의주시하고 있다.

롭 크룩 인텔 비휘발성 메모리 솔루션 그룹 총괄 수석부사장은 26일 서울 동대문 JW메리어트호텔에서 열린 자체 행사 ‘메모리&스토리지 데이 2019’에서 “뉴멕시코 리오란초 소재 팹11X에서 성능이 대대적으로 개선된 2세대 옵태인 미디어(P램 메모리 칩) 연구개발(R&D)과 파일럿 생산을 병행하고 있다”면서 “3세대, 4세대 옵태인 미디어도 이 곳에서 R&D가 이뤄진다”고 설명했다.

롭 수석부사장이 언급한 ‘옵태인 미디어’는 과거 마이크론과 공동 개발한 3D 크로스포인트 메모리 칩을 의미하는 것이다. 인텔 등은 이 메모리 종류에 대해 공식 밝힌 적은 없다. 그러나 업계와 학계에선 물질 상(相)이 비결정에서 결정질로 변할 때 1비트를 얻는 P램의 한 종류인 것으로 보고 있다. 전원을 꺼도 데이터가 지워지지 않는 비휘발성 특성을 갖고 있다. 1세대 P램은 마이크론과 공동 개발했지만, 최근 양사가 독자 개발 노선을 걷기로 함에 따라 3D 크로스포인트 메모리 대신 옵태인 미디어라는 명칭을 사용하고 있다.

2세대 옵태인 미디어는 1세대와 비교했을 때 생산 원가가 줄어들었을 것으로 추정된다. 2단 크로스포인트가 4단으로 늘어났다고 인텔은 밝혔다. 용량이 두 배 확대된다는 의미다. 동일 면적이라면 용량이 늘어났을 때 용량당 원가가 떨어지는 효과가 있다. 1세대 제품은 성능(데이터 접근 속도) 면에서 기존 낸드플래시 대비 낫다는 평가를 받긴 했으나 원가를 더 낮춰야 되는 것이 아니냐는 의견도 있었다.

인텔은 2세대 옵태인 미디어로 메모리 신 시장을 창출하겠다는 포부를 밝혔다. 이미 1세대 미디어로 개발한 옵태인 DC 퍼시스턴트 메모리로 성과를 내고 있다. 이 제품은 서버 D램을 일부 대체할 것으로 관측된다. 기존 서버용 D램 모듈과 동일한 형태로 서버 메인보드에 꽂아서 쓸 수 있다. 옵태인은 D램보단 느리지만 용량당 단가는 저렴하고 일반 낸드플래시와 비교하면 성능이 높기 때문에 D램과 낸드플래시 중간 영역에 위치할 수 있다는 것이 인텔 설명이다. 인텔은 D램과 옵태인 DC 퍼시스턴트 메모리를 병행 설치하면 비용은 30% 낮출 수 있고 SAP 하나(HANA)와 같은 인메모리 기술 기반 데이터베이스를 실행했을 때 성능 향상 효과가 높다고 강조하고 있다.

롭 수석부사장은 “D램 미세화 속도는 둔화됐고, D램 분야에서 무어 법칙은 깨졌다”면서 “인텔 옵태인 기술은 D램의 부족한 용량을 채우면서도 낸드플래시 대비 응답속도가 100배 빨라 폭증하는 데이터를 실시간 분석해 통찰력을 얻을 수 있는 좋은 솔루션이 될 것”이라고 말했다.

오라클은 최근 차세대 데이터베이스(DB) 서버 플랫폼 엑사데이터 X8M에 옵테인 DC 퍼시스턴트 메모리를 탑재한다고 밝혔다. 지난 8월에는 중국 최대 검색기업인 바이두가 자사 서버에 옵태인 DC 퍼시스턴트 메모리를 도입한다고 소개했다. 미국 버라이즌 미디어 역시 데이터센터에 인텔 옵태인 DC 메모리를 도입했다. 국내에선 네이버 등 대형 고객사와 공급 논의를 하고 있다. 나빈 셰노이 인텔 데이터센터 그룹 총괄 수석부사장은 이날 영상 메시지에서 “(옵태인 메모리 관련) 전 세계 고객들과 300개 이상의 협력 과제를 가지고 200개 이상의 검증 프로그램을 구동하고 있다”고 설명했다.

이날 인텔은 전통 낸드플래시 신제품도 소개했다. 롭 수석부사장은 “이달 말 96단 쿼드레벨셀(QLC) 3D 낸드플래시 제품을 고객사에 전달한다”면서 “144단 QLC 3D 낸드는 내년에 출시할 것”이라고 말했다. 그는 인텔이 활용하는 플로팅게이트 기술 방식이 여전히 밀도를 가장 높일 수 있다고 강조하기도 했다. 플로팅게이트는 전자를 자주 넣거나 빼면 절연체 저항에 변화가 생겨 수명 문제를 야기할 수 있다. 이 때문에 삼성전자나 SK하이닉스, 도시바는 플로팅게이트 방식 대신 부도체에 전하를 저장하는 차지트랩플래시(CTF) 기술 방식을 개발해 활용하고 있다.

권명숙 인텔코리아 대표는 “한국은 세계가 인정하는 메모리 강국으로 그 어떤 곳보다 메모리 기술에 대한 높은 수준의 이해와 관심을 가지고 있다”면서 “한국에서 인텔 메모리 기술 비전과 전략을 말할 수 있게 돼 뜻 깊다”고 했다.



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