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내년 디스플레이 드라이버IC 생산 '빠듯'
내년 디스플레이 드라이버IC 생산 '빠듯'
  • 이종준 기자
  • 승인 2019.11.25 19:41
  • 댓글 0
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생산능력 증가폭 적고...이익률 높은 제품으로 대체

내년 디스플레이 드라이버IC(DDI) 생산능력이 빠듯할 것이란 전망이 나왔다. 시장조사업체 IHS마킷은 "스마트폰용 액정디스플레이(LCD) 터치·드라이버 통합칩(TDDI)은 공급부족 가능성까지 있다"며 "TDDI의 가격이 오르면 삼성전자 시스템LSI사업부는 중국 업체의 TDDI 물량을 다시 받으려 할 것"이라고 했다.

25일 업계에 따르면 CMOS이미지센서(CIS)와 언더디스플레이 지문인식센서는 DDI와 생산공정이 일부 겹친다. CIS 일반제품은 200mm 웨이퍼 90나노미터(nm) 공정으로 생산된다. 하이엔드 제품은 300mm 웨이퍼 65나노미터 이하에서 만든다. 언더디스플레이 지문인식센서의 생산공정은 200mm 웨이퍼 180나노미터 공정이다.

IHS마킷은 "파운드리업체는 자신들의 생산능력을 현재 개발중인 여러 센서들에 할당하기를 원한다"며 "사이클이 길고, 생산공정이 복잡한 DDI보다 이익률이 높기 때문"이라고 했다. "내년 DDI용 200mm와 300mm 웨이퍼 생산능력은 모두 빠듯할 것"이라고도 했다.

디스플레이 드라이버IC 생산공정은 대형에서 소형이 될수록, LCD에서 유기발광디스플레이(OLED)로 갈수록 공정 난도가 높아진다. 대형 TV용 DDI는 200mm웨이퍼 110-160나노미터로 만든다. 주류 공정은 160나노미터다. 올해 하반기 전체 200mm 파운드리 생산능력은 풀가동에 가까운 것으로 전해졌다.

스마트폰용 LCD TDDI는 300mm 웨이퍼 55-110나노미터 공정으로 만든다. OLED용 DDI의 생산공정은 300mm 28-40나노미터다. 대만과 중국의 디자인하우스 등이 40나노미터 공정에 집중하고 삼성전자 시스템LSI 사업부는 28나노미터를 주도하는 것으로 전해졌다.

대만과 중국 파운드리업체의 300mm웨이퍼 DDI 생산능력은 올해보다 소폭 늘어나는데 그칠 것으로 전망된다. 대만 UMC의 DDI용 월 생산능력은 올해 3만5000장에서 내년 3만7000장으로 2000장 증가할 것으로 보인다. 대만 TSMC와 파워칩(Powerchip), 중국 넥스칩(Nexchip)의 월 생산능력은 각각 3만장, 2만장, 1만장으로 올해와 동일할 것으로 예상된다.

내년에는 스마트폰용 OLED 출하가 늘어 OLED DDI 수요가 커질 전망이다. OLED DDI의 칩크기는 LCD TDDI보다 크다. 300mm 웨이퍼에서 1장에서 뽑아낼 수 있는 OLED DDI 개수는 LCD TDDI보다 300-500개 적다. 제한된 파운드리 생산능력을 OLED DDI가 차지하게 되면 LCD TDDI에 돌아갈 생산능력은 그만큼 적어진다. LCD TDDI는 공급부족 가능성까지 제기된다. 


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