SPIE 리소그래피 콘퍼런스, 2월 22일부터 5일간 개최
SPIE 리소그래피 콘퍼런스, 2월 22일부터 5일간 개최
  • 김동원 기자
  • 승인 2021.01.19 22:35
  • 댓글 0
이 기사를 공유합니다

국내 중소업체 넥스틴도 인텔과 공동 논문 발표

국제광공학회(SPIE) 주관 첨단 리소그래피(Advanced Lithography) 콘퍼런스가 미국 시간으로 2월 22일부터 26일까지 온라인으로 개최된다.

SPIE는 전 세계 광전자 공학 분야 가장 권위 있는 학회다. 리소그래피는 반도체 회로 선폭을 축소할 수 있는 핵심 공정이다. SPIE 첨단 리소그래피 콘퍼런스에는 극자외선(EUV) 노광(露光, exposure)의 현재와 미래 등 제반 기술 전반이 다뤄진다. 인텔, ASML, 어플라이드머티어리얼즈 등 글로벌 반도체 소자 장비 기업, 삼성전자, SK하이닉스의 주요 인물이 연사로 참여한다. 웨이퍼 계측 장비를 다루는 국내 중소업체 넥스틴도 인텔과 공동으로 연구한 논문을 발표한다.

콘퍼런스는 △극자외선(EUV) 리소그래피 △2021 새로운 패턴 기술 △반도체 제조를 위한 계측, 검사 및 공정 제어 △패터닝 재료 및 프로세스 발전 △광학 리소그래피 △설계-기술 공동 최적화 △나노 패터닝을 위한 고급 식각 기술 및 공정 통합 △고급 리소그래피 제품 데모 등 8개 주제로 구성했다.

총회 기조연설에는 마이크 메이버리 전 인텔 최고기술책임자(CTO)와 존 후 엔비디아 이사가 나선다. 마이크 메이버리 전 인텔 CTO는 '컴퓨팅의 미래 : 데이터 변환이 초 대규모 집적 회로(VLSI)를 재구성하는 방법(The future of compute: how the data transformation is reshaping VLSI)'이란 주제로 늘어나는 데이터 처리에 필요한 솔루션 기술을 발표한다.

존 후 엔비디아 이사는 '지능형 디지털 세계로의 전환에서 인공지능(AI) 고성능컴퓨팅(HPC) 및 IC 기술의 새로운 영역(A new era for AI HPC and IC technologies in the transition to an intelligent digital world)'에 대해 소개할 예정이다.

EUV, 광학 리소그래피, 계측, 식각 등 주요 공정별 기조 세션도 마련됐다. EUV 기조 세션은 장비를 생산하는 ASML이 'EUV 리소그래피 : 과거, 현재 및 미래'에 대해 발표한다. 렌즈 수차(NA) 값을 0.33에서 0.55로 높인 차세대 EUV 플랫폼을 알릴 예정이다.

계측과 식각 기조 세션은 각각 KLA와 어플라이드머티어리얼즈가 발표한다. KLA는 이번 세션을 통해 테스트 커버리지 차이를 극복하는 방법과 기술 등을 소개한다. 어플라이드머티어리얼즈는 D램의 밀도를 높일 수 있는 새로운 증착 및 식각 기술을 알릴 예정이다. 이외 램리서치가 건식 증착을 위한 EUV 포토레지스트(PR) 시스템을, 니콘이 광학 노출 기술 관련 최근 개발 내용 등을 발표할 계획이다.

삼성전자는 △EUV 리소그래피와 △반도체 제조를 위한 계측, 검사 및 공정 제어 △패터닝 재료 및 프로세스의 발전 등 3개 콘퍼런스의 일부 세션에 토론 위원장으로 참가한다. 'EUV 마스크 검사' 세션에서 마스크 검사 장비인 APMI를 위한 플라즈마 기술과 렌즈가 필요 없는 EUV 마스크 검사 기술 등을 공유한다. '반도체 제조를 위한 새로운 방법과 도전'이란 세션에선 반도체 소자 계측을 위한 반사측정 기법과 광학 센서 시스템을 이용한 고속 웨이퍼 필름 측정 등의 내용을 소개한다. '언더레이어 및 결함감소' 세션에선 고온 탄소 하드 마스크 평면화, 석판 재료 고유의 금속정화기 개발 등의 내용을 알릴 예정이다.

임창문 SK하이닉스 미래기술연구원 담당은 EUV 스캐너 로드맵 및 고려사항 세션의 위원장을 맡았다. 이 세션에서는 높은 NA값을 위한 리소그래피 기술과 대량생산을 위한 방법 등 EUV 기술 관련 연구 내용을 소개한다.

넥스틴은 국내 중소 기업으로는 유일하게 이번 행사에서 연구내용을 발표할 계획이다. 연구발표 주제는 3D 메모리 표면 하층부 결함 감지 및 분류를 위한 적외선 투과초점 스캐닝 광학 현미경 비교(Comparative near infrared through-focus scanning optical microscopy for 3D memory subsurface defect detection and classification)다. 이 연구는 미국 인텔과 함께 진행했다. 공주대, 인천대도 연구에 참가했다. 발표에는 다중비초점면(TSOM) 기술이 중점적으로 소개된다. 인텔 3D 낸드플래시에 TSOM 기술을 적용한 결과가 담긴 것으로 보인다. TSOM은 3D 패턴 구조에서 소자의 깊이를 측정할 수 있는 플랫폼이다. 넥스틴의 암조명 검사 장비 아이리스(IRIS)에 이 기술이 탑재됐다.



댓글삭제
삭제한 댓글은 다시 복구할 수 없습니다.
그래도 삭제하시겠습니까?
댓글 0
댓글쓰기
계정을 선택하시면 로그인·계정인증을 통해
댓글을 남기실 수 있습니다.

  • 서울특별시 강남구 논현로 515 (아승빌딩) 4F
  • 대표전화 : 02-2658-4707
  • 팩스 : 02-2659-4707
  • 청소년보호책임자 : 이수환
  • 법인명 : 주식회사 디일렉
  • 대표자 : 한주엽
  • 제호 : 디일렉
  • 등록번호 : 서울, 아05435
  • 사업자등록번호 : 327-86-01136
  • 등록일 : 2018-10-15
  • 발행일 : 2018-10-15
  • 발행인 : 한주엽
  • 편집인 : 한주엽
  • 전자부품 전문 미디어 디일렉 모든 콘텐츠(영상,기사, 사진)는 저작권법의 보호를 받은바, 무단 전재와 복사, 배포 등을 금합니다.
  • Copyright © 2021 전자부품 전문 미디어 디일렉. All rights reserved. mail to powerusr@thelec.kr
ND소프트