ST, 소형 SO-8W 패키지 기반 '게이트 드라이버' 출시
ST, 소형 SO-8W 패키지 기반 '게이트 드라이버' 출시
  • 이나리 기자
  • 승인 2020.11.09 15:44
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6kV 갈바닉 절연 기능 특징

ST마이크로일렉트로닉스(ST)가 소형의 고전압 게이트 드라이버 STGAP2HS를 출시했다고 9일 밝혔다. 

이 디바이스는 게이트 구동 채널과 저전압 제어, 인터페이스 회로 사이에 최대 6킬로볼트(kV)의 갈바닉 절연이 필요한 산업을 지원한다. 최대 4암페어(A)의 출력 전류를 싱크 및 소싱할 수 있어 설계를 간소화해준다. 중/고전력 컨버터와 전원공급장치, 가전기기 인버터를 비롯해 공장 자동화, 팬, 인덕션 히터, 용접기, UPS와 같은 산업용 장비에 적용 가능하다. 

ST의 BCD6 기술이 적용돼 설계자가 신호 극성을 제어할 수 있는 듀얼 입력 핀을 갖췄다. 컨트롤러가 오작동할 경우 교차전도를 방지하도록 인터로킹 보호 기능을 제공한다. 입력은 3.3볼트(V)까지 CMOS/TTL 로직과 호환된다. 제어 디바이스와 쉽게 인터페이스가 가능하다. 

저전압 및 고전압 구간 간의 전파 지연을 일치시킴으로써 사이클 왜곡을 방지한다. 에너지 손실을 최소화하면서 고주파수 동작이 가능하다. CMTI(Common-Mode Transient Immunity)는 전체 온도범위 -40~125도(°C)에서 ±100V/ns이다.

STGAP2HS는 두 가지 구성으로 제공된다. 하나는 별도의 출력 핀들로서 전용 게이트 저항을 이용해 턴온 및 턴오프 시간을 독립적으로 최적화할 수 있다. 두 번째 구성은 밀러-클램프 기능과 단일 출력 핀을 제공한다. 밀러-클럼프는 하프 브리지 토폴로지의 고속 정류 중 게이트 스파이크를 방지하는 기능이다. 각 구성을 통해 설계자는 하이-사이드와 로우-사이드 브리지 회로에서 N-채널 모스펫(MOSFET)을 사용해 외부 부품 원가를 낮출 수 있다.

STGAP2HS는 저전압 구간과 고전압 구동 채널에 전용 UVLO 보호 기능과 열 셧다운 보호 기능을 통합했다. 이는 전원 스위치가 저효율 또는 위험한 조건에서 동작하지 않도록 해 신뢰성을 높여준다. 75나노초(ns) 미만의 입력 대 출력 전파 지연으로 정확한 PWM(Pulse-Width Modulation) 제어가 가능하다. 대기모드를 통해 설계자는 시스템의 전력소비를 줄일 수 있다.

STGAP2HS는 와이드-바디 SO-8W 패키지로 하우징됐다. 공간 효율적으로 사용할 수 있는 연면거리를 보장한다. 가격은 1000개 구매 시 1.34달러다.


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