램리서치, 고종횡비 칩 구조 제조 '스트라이커 FE' 발표 
램리서치, 고종횡비 칩 구조 제조 '스트라이커 FE' 발표 
  • 이나리 기자
  • 승인 2020.09.22 17:19
  • 댓글 0
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첨단 유전체 갭필 기술

램리서치가 고종횡비(high-aspect-ratio) 칩 구조 제조를 지원하는 가공 솔루션 '스트라이커 FE' 플랫폼을 22일 발표했다.  

그동안 반도체 제조에서 사용한 갭필(gapfill) 방식은 화학기상증착(CVD), 확산/퍼니스, 스핀온 공정이 있다. 이런 기술은 막질, 수축, 갭필 보이드 간 상충하는 제한을 받는다. 현재 3D 낸드플래시 생산에 필요한 조건을 민족시키지 못한다.

스트라이커 FE는 3D 낸드, D램, 로직 소자의 새로운 노드에 필요한 극한 구조를 충진하기 위해 '아이스필(ICEFill)' 기술을 사용한다. 독점 표면 개질 기법을 사용해 보이드 없는 선택적 상향식  갭필을 구현해 준다. 원자층 증착(ALD:atomic layer deposition) 고유의 막질을 유지할 수 있다. 특히 3D 낸드 소자의 많은 고종횡비 피처 충진 제한요소를 없애준다. D램과 로직 소자의 쓰러짐(collapse) 문제도 방지해 준다. 

세사 바라다라얀 램리서치 증착 사업부장은 "ALD 기술을 사용하면 단일 공정 시스템에서 뛰어난 갭필 성능을 가진 양질의 산화막을 생산할 수 있다. 쿼드 스테이션 모듈 구조가 주는 생산성 이점도 누릴 수 있다"고 말했다.



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