화홍반도체, 90나노 초저전력 임베디드 플래시 기술 발표
화홍반도체, 90나노 초저전력 임베디드 플래시 기술 발표
  • 디일렉
  • 승인 2020.09.20 15:23
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| 출처 : 화홍그룹 공식 뉴스룸 | 8월 27일

○화홍반도체, 90나노 초저전력 임베디드 플래시 출시
- 27일 화홍반도체가 고성능 MCU 수요에 대응하기 위한 90나노 초저전력(ULL) 임베디드 플래시(eFlash)와 비휘발성 기억장치(EEPROM) 공정 플랫폼을 출시했음.
- 화홍반도체의 0.11미크론 공정에 이은 기술로 전력 소모와 원가를 낮춰 경쟁력 있는 차별화된 솔루션을 제공하는 공정 플랫폼이며 loT, 웨어러블기기, 공업/자동차 전자 등 분야에 적용됨.

○고성능 MCU 제조원가 낮추고 대기 시간 연장한 공정 플랫폼
- 최근 출시한 90나노 초저전력 임베디드 플래시 공정 플랫폼 1.5V 코어 N타입/P타입 MOS 트랜지스터는 누설전류 0.2pA/μm로 MCU의 대기 시간을 효율적으로 연장.
- 이 플랫폼의 임베디드 비휘발성 메모리(eNVM) IP는 지우고 쓰기 횟수 10만~50만회, 읽기 속도 30ns 등 독보적 우위를 보유하고 있으며, 로직 단위 라이브러리 집적도가 400K gate/mm² 이상에 달해 반도체 칩 크기 축소에 기여할 수 있음.
- 이 공정 플랫폼의 최대 장점은 화홍반도체 자체 특허의 분리 그리드 NORD 임베디드 플래시 기술을 집적해 90나노 공정에서 현재 업계 최소 셀룰러 사이즈와 최소 면적의 임베디드 노어 플래시 IP를 보유하고 있다는 점과 마스크 층수를 줄임으로써  MCU, 특히 고성능 MCU 제품의 제조원가를 낮췄다는 점.  
- 이밖에 무선주파수(RF), 임베디드 플래시(eFlash), 비휘발성 기억장치(EEPROM)도 지원함.

○쿵웨이란 화홍반도체 부사장, “초저전력 시장 응용 파운드리 선택의 폭 넓어질 것”
- 쿵웨이란(孔蔚蓝) 화홍반도체 부사장은 “화홍반도체는 차별화된 기술 혁신과 끊임없는 최적화를 통해 시장에서 시급히 필요로 하며 원가 효율이 높은 공정과 기술 서비스를 제공하는 데 주력하고 있다. 또 8인치 플랫폼을 발전시키는 동시에 12인치 생산라인 확충과 기술 연구개발에 박차를 가하고 있다. 사물인터넷, 자동차 전자제어는 MCU 활용 수요가 늘고 있는 시장이다. 이번에 90나노 초저전력 임베디드 플래시 공정 플랫폼 출시는 우리 MCU 고객사들이 초저전력 시장 응용 분야에서 선택할 수 있는 파운드리의 폭을 한층 더 넓혀줄 것”이라고 밝혔음.



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