SK하이닉스가 성능을 높이고 전력소모량을 줄인 2세대(1y) 10나노급 8기가비트(Gb) DDR4 D램을 개발했다고 12일 밝혔다. 내년 1분기부터 공급에 나선다고 회사는 설명했다.
10나노 2세대 제품은 1세대(1x)와 비교했을 때 생산성이 20% 가량 향상됐다. 웨이퍼 한 장당 뽑을 수 있는 D램 칩(Die) 숫자가 1x보다 20% 늘어난다는 의미다. 전력소비도 15% 이상 줄였다.
데이터 전송 속도는 DDR4 규격이 지원하는 최고 속도인 3200Mbps까지 지원한다. SK하이닉스는 데이터 전송 속도를 높이기 위해 '4페이즈 클로킹' 설계 기술을 적용했다고 설명했다. 데이터를 전송할 때 주고 받는 신호를 기존보다 2배로 늘려 제품의 동작 속도와 안정성을 향상시켰다고 설명했다.
전력소비를 줄이고 데이터 오류발생 가능성을 낮추기 위해 독자적인 '센스 앰프 제어 기술'도 도입했다. 이는 D램 셀에 작은 전하 형태로 저장된 데이터를 감지, 증폭시켜 외부로 전달하는 능력을 높인다. D램은 공정이 미세화될수록 트랜지스터의 크기가 줄어 데이터 감지에 관한 오류 발생 가능성이 높아진다. 그래서 센스 앰프 역할이 중요하다. SK하이닉스는 이런 문제를 극복하기 위해 트랜지스터의 구조를 개선했다. 데이터 증폭과 전달 기능을 하는 회로에 전력 소모가 낮은 내부 전원을 추가해 동작에 필요한 만큼의 전력만 공급, 불필요한 전력 사용을 방지했다.
김석 SK하이닉스 D램마케팅담당 상무는 "개발을 마친 2세대 10나노급 DDR4는 내년 1분기부터 공급에 나서 시장 수요에 대응할 것"이라면서 "PC와 서버 시장을 시작으로 모바일을 비롯한 다양한 응용처에 걸쳐 2세대 10나노급 미세공정 기술을 확대 적용하겠다"고 말했다.
