메모리와 시스템반도체, 파운드리 기술력 및 사업 경쟁력 강화
삼성전자가 미래 먹거리 육성을 위해 향후 5년간 450조원에 달하는 투자를 진행한다. 특히 반도체 분야에서는 메모리와 시스템반도체, 파운드리 전반에 걸친 기술력 강화로 '반도체 초강대국' 달성을 주도하겠다는 입장이다.
삼성전자는 반도체, 바이오, 신성장 IT 산업을 중심으로 향후 5년간 450조원(국내 360조원)을 투자하겠다고 24일 밝혔다. 이번 투자 규모는 지난 5년 대비 120 조원, 국내는 110조원 증가한 금액이다.
삼성전자는 "불확실성 속에서도 미래 신산업 혁신을 선도하기 위해 연평균 투자 규모를 30% 이상 늘렸다"며 "반도체 분야에서는 선제적 투자 및 차별화된 기술력, 새로운 시장 창출로 '반도체 초강대국' 달성을 주도할 것"이라고 밝혔다.
이에 따라 삼성전자는 메모리 초격차를 확대하고, 팹리스 시스템반도체 및 파운드리에서 기존 선두업체를 뛰어넘겠다는 전략을 세웠다.
먼저 메모리 분야에서는 공정 미세화의 한계를 극복할 수 있는 신소재, 신구조에 대한 R&D를 강화하고, 반도체 미세화를 위한 EUV(극자외선) 기술을 조기에 도입할 계획이다.
삼성전자는 "30여년간 압도적인 경쟁력을 보이고 있는 메모리 시장에서도 경쟁 업체의 도전이 거세지고 있고, 중국 메모리 업체의 성장도 위협적"이라며 "지난해 EUV 공정을 적용한 14nm D램을 양산하고 EUV 활용 레이어를 5개로 확대 사용한 것처럼, 첨단기술의 선제적 적용으로 이같을 따돌릴 것"이라고 말했다.
시스템반도체 분야에서는 고성능/저전력 AP, 5G/6G 통신모뎀 등 초고속통신 반도체, 고화질 이미지센서 등을 중심으로 경쟁력을 확보할 계획이다. 또한 국내 신성장 팹리스 시스템반도체 관련 생태계가 조성될 수 있도록 지원하기로 했다.
삼성전자는 "주요 시스템반도체 사업 중 모바일 SoC, 이미지센서 등은 1등 업체들과의 시장 격차는 크지만 투자와 R&D 통해 기술 격차 줄이며 성장 가능성 제고했다"며 "삼성의 시스템반도체 1등 도약은 팹리스, 디자인 하우스, 패키징, 테스트 등 '팹리스 시스템반도체 생태계'의 동반성장을 이끌 것으로 기대한다"고 설명했다.
파운드리는 선단공정 중심의 기술개발, 투자로 미래 시장을 개척한다. 올해 상반기 3나노 양산을 목표로 하고 있으며, 차세대 패키지 기술 확보로 연산칩과 메모리가 함께 탑재된 융복합 솔루션을 개발하기로 했다. 특히 삼성전자는 3나노에 적용할 GAA 기술에 대해 "경쟁사와의 기술 격차를 단숨에 좁히는 승부수가 될 수 있다"고 강조했다.
