ST, 650V 고주파 IGBT ‘HB2 시리즈’ 출시
ST, 650V 고주파 IGBT ‘HB2 시리즈’ 출시
  • 이예영 기자
  • 승인 2019.05.02 14:57
  • 댓글 0
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650V HB2 IGBTs
650V HB2 IGBTs

ST마이크로일렉트로닉스는 650V 절연 게이트 양극성 트랜지스터(IGBT) 시리즈 HB2를 출시했다고 2일 밝혔다.

HB2 시리즈 제품은 최신 독자 TFS(Trench Field Stop) 기술을 활용해 PFC(Power Factor Correction) 컨버터, 용접기, 무정전 전원 공급장치(UPS), 태양광 인버터 등 중고속 애플리케이션에서 효율성과 성능을 향상시킨다고 회사는 설명했다. AEC-Q101 Rev. D 인증을 충족시키는 자동차 등급 디바이스도 포함돼 있다.

HB2 시리즈는 포화전압(VCEsat)이 1.55V로 낮아 전도 성능이 높고 낮은 게이트 전류에서 신속한 스위칭을 지원하는 게이트 차지가 감소돼 동적 특성(dynamic behavior)이 한층 강화됐다고 회사는 설명했다.

HB2 시리즈의 IGBT는 전정격 또는 반정격 다이오드와 우발적 역 바이어스 방지를 위한 보호 다이오드 중 하나를 선택할 수 있어 애플리케이션에 따른 동작 최적화가 가능하다.

새로운 650V 디바이스 중 첫 번째로 출시된 ‘40A STGWA40HP65FB2’는 TO-247 LL(Long-Lead) 패키지로 제공된다. 가격은 1000개당 2.95달러에서 시작한다.


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