웨이퍼에서 SiC 소재 정밀 제거, 수율 극대화
반도체 장비 업체 어플라이드머티어리얼즈는 탄화규소(SiC) 반도체 생산에 활용되는 신규 장비 '미라 듀럼 화학기계연마(CMP) 시스템'과 '비스타 900 3D 핫 이온 임플란트 시스템'을 출시한다고 14일 밝혔다.
이들 장비는 SiC 반도체 제조사들이 기존 150mm에서 200mm 웨이퍼 생산 체계를 전환하도록 지원하는 역할을 한다. 웨이퍼당 다이(die) 생산량을 약 2배로 늘릴 수 있다는 점도 특징이다.
어플라이드의 미라 듀럼 CMP 시스템은 연마, 소재 제거 측정, 세정, 건조를 하나의 시스템에 통합한 장비다. 이 시스템은 기계로 연마된 SiC 웨이퍼와 비교해 완성된 웨이퍼 표면조도(거친 정도)를 50분의 1로 감소시킬 수 있다. 표면조도는 배치 CMP 공정 시스템에 비해 3분의 1로 줄여준다.
비스타 900 3D 시스템은 격자 구조에 손상을 최소화시키는 장비다. 또 이온을 주입해 소재 내에 미세한 불순물을 넣어 고전력을 생성하는 회로 내 전류 흐름을 활성화시켜준다. 이로써 실온에서의 임플란트에 비해 저항을 40분의 1로 감소시킬 수 있다.
순다르 라마무르티 어플라이드머티어리얼즈 ICAPS 그룹 부사장 겸 총괄매니저는 "전세계적으로 반도체 수요가 급증함에 따라 반도체 제조사는 웨이퍼 크기를 지속적으로 대형화해 반도체 생산량을 크게 늘려야 한다"며 "어플라이드의 재료공학으로 산업 전반이 혜택을 받게 될 것"이라고 말했다.
그렉 로우 크리 사장 겸 최고경영자(CEO)는 "크리는 대형화된 200mm 웨이퍼에 최고 성능의 SiC 전력 소자를 생산해 증가하는 수요에 대응하고 있다"며 "어플라이드의 지원 덕분에 울버니에서 200mm 공정 적격 인증 기간 단축과 모헉밸리 팹의 멀티 장비 설치 전환이 신속하게 이뤄지고 있다"고 설명했다.
한편, 어플라이드의 ICAPS(IoT∙통신∙오토모티브∙전력∙센서) 사업부는 SiC 전력반도체 신규 장비를 개발 중이다. 회사 측은 물리기상증착(PVD), 화학기상증착(CVD), 식각, 공정 제어 등의 추가 상품을 개발하고 있다고 밝혔다.
