국내 반도체 부품·소재기업 에스앤에스텍이 내년 EUV 블랭크마스크 양산을 추진한다. 기존 EUV 블랭크마스크의 한계를 극복할 차세대 제품 역시 개발을 시작했다. EUV 펠리클의 경우, 지난해 개발한 제품 대비 내구성 및 투과율을 더 끌어올린 제품의 개발을 내년 완료할 계획이다.

승병훈 에스앤에스텍 전무는 지난 8일 《디일렉》이 개최한 '2022 반도체 EUV 글로벌 생태계 콘퍼런스'에서 회사의 제품 개발 로드맵에 대해 이같이 밝혔다.

에스앤에스텍은 EUV용 블랭크마스크와 펠리클을 동시에 개발 중이다. 블랭크마스크는 웨이퍼에 반도체 회로를 새기기 위한 포토마스크의 원판이며, 펠리클은 마스크를 외부 오염으로부터 막아주는 얇은 막이다. 현재 두 제품 모두 일본 업체들이 시장을 주도하고 있다.

현재 주요 반도체 업체를 중심으로 EUV 공정이 활성화되고 있는 만큼, 앞으로 EUV 블랭크마스크 및 펠리클 시장도 지속적인 성장세가 예견된다.

승병훈 전무는 "EUV 블랭크마스크 및 펠리클이 현재 연 1만 매 정도 사용되고 있는데, 2025년에는 4만5000매로 4배 이상 증가하게 될 것"이라며 "7nm의 경우 현재 EUV 펠리클이 선택적으로 사용되고 있지만, 5nm 및 3nm 공정에 접어들게 되면 AI 반도체 등에서 필수적으로 활용될 것"이라고 밝혔다.

에스앤에스텍은 몰리브덴(Mo)과 실리콘(Si)을 다층으로 쌓고, 그 위에 금속 소재 기반 흡수체를 쌓는 방식으로 EUV 블랭크마스크를 개발하고 있다. 제품군은 세부 사항에 따라 4가지로 나뉜다. 반도체 업계에서 통상적으로 쓰여 온 바이너리 마스크, 회로 패턴의 붕괴를 막기 위한 바이너리 하드마스크(HM), 기존 대비 노광 성능을 높여주는 HM 위상변위마스크(PSM)는 개발이 완료돼 내년 양산을 목표로 하고 있다. 

High-k Thin 바이너리 마스크는 올해부터 본격적인 개발이 진행되고 있다. High-k Thin 바이너리 마스크는 흡수체의 구조로 인해 패턴이 제대로 형성되지 않는 '3D 효과' 문제를 줄이기 위해 고안 된 마스크다. High-k 물질은 고유전율 특성을 지닌 물질로, 흡수체의 3D 효과를 억제할 수 있다.

승병훈 전무는 "연내 EUV 블랭크마스크 검사장비를 들여와 내년 2~3분기에는 결함을 개런티한 제품을 고객사에 제공할 수 있을 것으로 생각한다"며 "High-k Thin 바이너리 마스크는 기초 연구를 진행 중으로 여러가지 소재를 검토하고 있는 단계이며, 내년에는 주요 소재를 선정하고 여러 항목을 평가하려고 한다"고 설명했다.

EUV 펠리클은 지난해 400W 환경에서 투과율 91% 수준을 갖춘 풀사이즈 MK4급 제품을 개발했으며, 현재는 600W 환경 및 투과율 92% 이상의 MK5급 제품을 개발 중이다.

승병훈 전무는 "2024년부터 투과율 92% 이상의 펠리클이 필요할 것이라는 판단에 따라 내년 MK5급 제품을 개발하는 것이 내부 목표"라며 "향후에는 늦어도 2026년 초까지 600W 및 투과율 94% 이상의 펠리클을 개발할 예정"이라고 말했다.

디일렉=장경윤 기자 jkyoon@thelec.kr
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