中칭화유니 135조원 D램 프로젝트 연내 착공

2022년 양산 목표, 월 웨이퍼 투입량 10만장

2020-06-29     이혜진 기자

중국 칭화유니그룹 D램 프로젝트가 본격화된다. 연내 충칭에서 첫 삽을 뜬다. 지난 2019년 10년간 8000억위안(약 135조원)을 들여 D램 공장을 짓겠다는 목표 달성을 가시화하겠다는 것으로 풀이된다.

29일 일본 니혼게이자이신문에 따르면 칭화유니그룹은 연내 충칭에 D램 공장을 건설할 것으로 알려졌다. 2022년 첫 양산이 목표다. 해당 공장의 월 웨이퍼 투입량은 10만장 규모가 될 것으로 전해졌다. 당초 2019년 8월 충칭시 정부와 공장 건설에 합의하고 연말 착공할 계획이었다. 미중 무역분쟁과 함께 코로나19가 겹치면서 계획보다 1년 뒤로 미뤄졌다.

칭화유니가 2022년 공장을 가동하면 창신메모리(CXMT, 구 이노트론)에 이어 중국에서 두 번째로 D램을 양산하게 된다. 창신메모리는 현재 월 웨이퍼 투입량 2만장에서 4만장으로 증설을 진행하고 있다. 

시장에서 중국산 D램 채용도 늘어나고 있다. 일부 임베디드(내장형 제어)용, 저가나 수리 부품용 D램 시장을 조금씩 대체하고 있다. 제품도 DDR3에서 벗어나 DDR4까지 다양해졌다. 대만 D램 모듈 업체인 에이데이타(ADATA)는 창신메모리가 만든 DDR4 D램 모듈을 출시한 바 있다.

다만 칭화유니의 계획이 제대로 진행될진 미지수다. D램 생산에 필요한 미국산 제조 설비 확보가 어려워서다. 최근 미국과 중국 양국 사이엔 무역분쟁이 벌어지고 있다. 미국은 자국 기술이 들어간 반도체의 대중국 수출을 금지한 바 있다. 지난해 4월엔 미국의 규제로 푸젠진화와 어플라이드머티리얼즈와의 거래가 중단되기도 했다.

중국 정부는 오는 2025년까지 부품과 중간재의 70%를 자체 생산·공급한다는 '중국 제조 2025' 전략을 펼치고 있다. 2단계인 2035년까진 선진국을 추월해 제조업의 경쟁력 수준을 끌어올린다는 목표다. 필요한 자금은 보조금을 통해 마련되고 있다. 경제협력개발기구(OECD)에 따르면 2014년~2018년 21개국 중 매출 대비 정부지원금 비율이 높은 상위 5곳 중 3곳은 중국 기업인 것으로 조사됐다.