삼성전자, 평택에 EUV 파운드리 라인 구축 발표

삼성전자가 경기도 평택에 초미세 극자외선(EUV) 기반 파운드리(반도체 위탁생산) 생산 시설을 구축한다. 

삼성전자는 오는 2021년 하반기 평택 캠퍼스에 EUV 기반의 파운드리 생산 시설 가동을 목표로 이달부터 공사에 착수했다고 21일 밝혔다. EUV는 파장이 짧은 극자외선 광원으로 반도체 원재료인 웨이퍼에 회로를 새기는 기술이다.

삼성전자는 지난해 경기도 화성시의 'S3 라인'에서 업계 최초로 EUV 기반 7나노(㎚, 1㎚는 10억분의 1m) 공정 제품을 양산한 데 이어 올해 같은 사업장에 EUV 전용 'V1 라인'을 신설했다. 내년 평택에 새 EUV 생산 시설이 가동되면 7나노 이하 초미세 공정 기반 제품의 생산 규모가 가파르게 증가할 것으로 보인다. 파운드리 외 일부 평택 공장에서 생산될 D램도 이 시설의 EUV 인프라를 활용할 것으로 관측된다.

세계 파운드리 업계에서 7나노 이하 공정을 도입한 회사는 TSMC와 삼성전자 두 곳에 불과하다. 올해 1분기 기준 TSMC와 삼성전자의 파운드리 시장 점유율은 각각 54.1%, 15.9%다.

삼성전자는 생산성이 더 높은 5나노 제품을 올 하반기 화성에서 먼저 양산한 후 평택에서도 생산한다는 계획이다. 정은승 삼성전자 디바이스솔루션(DS)부문 파운드리사업부 사장은 "5나노 이하 공정 제품의 생산 규모를 확대해 EUV 기반 초미세 시장 수요 증가에 적극 대응할 것"이라며 "전략적 투자와 지속적인 인력 채용으로 파운드리 사업의 탄탄한 성장을 이어가겠다"고 밝혔다.