삼성전자가 차세대 메모리 반도체 M램 시대를 열었다. 올해 안으로 1기가비트(Gb) 내장형 M램(eM램) 테스트칩을 생산하는 등 내장형 메모리 솔루션을 확대할 계획이다.

6일 삼성전자는 28나노 완전 공핍형 실리콘 온 인슐레이터(FD-SOI) 공정으로 만든 eM램을 출하했다고 밝혔다. 시스템온칩(SoC)에 내장됐다. 기존에 사용되던 노어(NOR)플래시와 비교해 쓰기 속도가 1000배 더 빠르고 전력소비량이 낮다. 가격도 저렴하게 공급할 수 있다는 게 회사 측의 설명이다.

FD-SOI는 삼성전자가 중보급형 반도체 위탁생산(파운드리)에 활용하는 기술이다. 실리콘 웨이퍼 위에 매우 얇은 절연 산화막을 형성하고, 그 위로 평면형 트랜지스터 전극을 구성하는 것이 핵심이다. 누설전류를 줄여 에너지 효율성이 높다. 비휘발성 특성도 가지고 있다. 전원이 꺼진 상태에서 저장된 데이터를 계속 유지해 대기 전력을 소모하지 않는다. 데이터 기록에 필요한 동작 전압도 낮다.

구조가 단순해 기존 로직 공정 기반의 설계에 최소한의 레이어(Layer)를 더하는 것만으로 구현할 수 있다. 고객의 설계 부담을 줄이고 생산비용을 낮출 수 있다.

이상현 삼성전자 파운드리사업부 전략마케팅팀 상무는 “검증된 파운드리의 로직 공정에 eM램을 확대 적용해 고객과 시장의 요구에 대응해갈 것”이라고 전했다.

이예영 기자 다른기사 보기