삼성전자가 eUFS 3.0(embedded Universal Flash Storage 3.0) 규격 512기가바이트(GB) 차세대 모바일 메모리를 양산한다고 27일 밝혔다. 이달부터 512GB, 128GB eUFS 3.0 공급을 시작한다. 하반기에는 1테라바이트(TB), 256GB 용량 제품도 제공할 계획이다.
삼성전자는 신제품이 역대 메모리 저장장치 중 최고 속도를 낸다고 설명했다.
eUFS 3.0은 기존 eUFS 2.1 대비 2배 이상 빠른 초당 2100메가바이트(MB)를 연속으로 읽을 수 있다. 이는 SATA 규격 솔리드스테이트드라이브(SSD)와 비교하면 4배, 마이크로SD카드보다는 20배 이상 빠른 속도다.
삼성전자는 512기가비트(Gb) 3D 낸드플래시(V낸드)를 8단으로 적층하고 고성능 컨트롤러를 탑재해 이 같은 빠른 속도를 달성할 수 있었다고 설명했다.
연속쓰기 속도는 eUFS 2.1 제품보다 1.5배 이상 높은 초당 410MB다. 기존 임의읽기·쓰기 속도도 최대 1.3배 63000·68000IOPS(Input/Output Operations Per Second)에 달한다. 임의읽기·쓰기 속도는 마이크로SD 카드(100 IOPS) 대비 630배 이상 빠른 것이다. 초고해상도 디스플레이를 탑재한 스마트폰에서 빠르게 복잡한 작업을 동시 실행할 수 있다.
삼성전자는 2015년 기존 eMMC(embedded MultiMediaCard) 대비 1.4배 빠른 eUFS 2.0을 양산해 관련 시장을 열었다.
최철 삼성전자 메모리사업부 전략마케팅팀 부사장은 “eUFS 3.0으로 최고급 노트북 수준의 성능을 모바일 기기에서도 체감할 수 있게 됐다”고 설명했다.
