NXP, 미국 애리조나 주에 질화갈륨(GaN) 팹 증설 '5G 지원'
NXP, 미국 애리조나 주에 질화갈륨(GaN) 팹 증설 '5G 지원'
  • 이나리 기자
  • 승인 2020.09.29 15:46
  • 댓글 0
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5G 셀룰러 인프라 확장
미국 애리조나 주에 위치한 NXP 신규 질화갈륨 팹 오픈식 

NXP반도체는 미국 애리조나주 챈들러에 150mm(6인치) 질화갈륨(GaN) 제조공장(팹)을 오픈했다고 29일 발표했다. 

신규 팹은 5G 무선주파수(RF) 전력 증폭기 전용 생산을 위한 시설이다. 산업·항공·방산 시장에서 5G 기지국과 첨단 통신 인프라 확충을 지원할 계획이다. 현재 GaN인증을 받았다. 팹에서 생산된 일부 제품들이 시장에 출시된 상태다. 2020년 말에 완전 가동될 것으로 예상된다.

커트 시버스NXP 최고경영자(CEO)는 기조연설에서 "오늘은 NXP에 중대한 이정표가 되는 날"이라며 "NXP가 차세대 5G 기지국 인프라를 견인하는 일환으로 GaN 기술에 집중할 수 있게 됐다"고 말했다.



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