○저장성 하이닝시에 12인치 반도체 팹 착공···100억위안 투자
- 26일 저장성 하이닝시에서 하이신웨이(海芯微) 12인치 특수 공정 팹 프로젝트가 착공했음. 
- 총 투자금액은 100억위안(약 1조 7000억원), 생산능력은 월 10만장.
- 1기에서 55억 7200만위안을 투입해 월산 5만장 규모 팹 지을 예정.
- 총 부지 8만 1333제곱미터, 건축면적 약 13만 5000제곱미터.

○중국 첫 3D 반도체 팹···AI 반도체 설계회사가 주도, 세계 선두 파운드리와 협력 

- 중국 첫 3D IC 제조 핵심 공정을 보유한 12인치 팹으로 향후 AI, 이미지센서, HBM과 같은 고성능 반도체 공정의 R&D 생산에 쓰일 것이라고 하이닝시가 발표했음.
- 세계 선두 파운드리, 연구소, 대학과 협력해 3D 나노 웨이퍼용 적층공정 기술 및 기술 도입 방식을 개발한다는 계획.
- 지난 8월 하이닝 신멍커지(芯盟科技, icleague)가 세계 첫 초고성능 이기종 AI 칩을 개발해내 기존의 동형 칩 내 저장소와 컴퓨터 간의 데이터 벽을 부수고 데이터 저장과 계산의 3차원 집합을 실현했음. 
- 당시 신멍커지가 반도체 생산을 주도하기 위해 설립한 회사가 바로 하이신웨이(海芯微)반도체.
- 한편 오는 11월 12일 선전에서 열리는 ‘포스트 코로나 시대 – 2021 메모리 산업 트렌드 서밋’에서 3D 반도체를 주제로 업계 고위급 인사와 전문가가 소통한다고 함. 트렌드포스 주최.