삼성이 직접 밝힌 새로운 혁신 반도체 기술 5가지
삼성이 직접 밝힌 새로운 혁신 반도체 기술 5가지
  • 한주엽 기자 | powerusr@thelec.kr
  • 승인 2018.10.18 16:45
  • 댓글 0
이 기사를 공유합니다

EUV 7나노 파운드리 생산 등 '삼성테크데이 2018' 공식 발표
최주선 삼성전자 미주 지역총괄 부사장이 17일(현지시간) 미국 실리콘밸리에서 열린 '삼성 테크 데이 2018'에서 개회사를 하고있다.
최주선 삼성전자 미주 지역총괄 부사장이 17일(현지시간) 미국 실리콘밸리에서 열린 '삼성 테크 데이 2018'에서 개회사를 하고있다.

삼성전자는 17일(현지시간) 미국 실리콘밸리 소재 삼성전자 미주법인(DSA) 사옥에서 '삼성테크데이 2018'을 개최했다. 차세대 반도체 솔루션과 기술이 대거 공개됐다. 작년에 이어 올해 두 번째로 개최된 이 행사에는 글로벌 IT업체와 미디어, 애널리스트, 파워블로거 등 500여명이 참석했다. 삼성전자 미주 지역총괄 최주선 부사장과 메모리 D램 개발실 장성진 부사장, 플래시 개발실 경계현 부사장, 솔루션 개발실 정재헌 부사장, 상품기획팀 한진만 전무 등이 참석했다.

디일렉은 삼성전자 공식 자료와 외신을 참조해 이날 주된 발표 내용을 5지로 간추렸다.

 

1 EUV 7나노 칩 테이프 아웃
삼성전자는 이달 초 여러 개의 극자외선(EUV) 7나노 칩을 테이프아웃(Tape-Out)하고 생산에 착수한다고 밝혔다. 파운드리 회사가 말하는 테이프아웃이란 위탁생산을 위한 일련의 준비 과정을 마쳤다는 의미다. 7나노는 10나노 대비 면적을 약 40% 줄일 수 있으며, 약 20% 향상된 성능 또는 약 50% 향상된 전력 효율을 제공한다.

밥 스티어 삼성전자 DS부문 미주총괄 수석 이사는 "삼성전자는 7나노 공정의 본격 상용화는 물론, 향후 3나노까지 이어지는 공정 미세화를 선도할 수 있는 기반을 확보했다"고 말했다.

EE타임스에 따르면 삼성전자는 올해 초 화성 S3 라인에서 250와트(W) 광원 출력으로 일 1500장 웨이퍼 처리량을 달성했다. 300W를 광원 출력으로 웨이퍼 처리량을 늘리는 것이 목표라고 밥 스티어 이사는 밝혔다. 삼성전자는 2019년 말 완공을 목표로 화성사업장에 EUV 전용 라인을 구축하고 있다.

 

2 EUV 마스크 결함 검사장비 자체 개발
EUV 노광 공정에서 사용되는 마스크 결함 여부를 조기 진단할 수 있는 검사 장비를 자체 개발했다. 13.5나노 광원 파장을 쓰는 EUV는 회로 선폭을 대폭 줄일 수 있다. 따라서 마스크 결함을 검사하는 장비 역시 새로 구축돼야 한다는 지적이 있었다.

마스크 결함 검사 장비는 자체 개발했지만, 마스크를 보호하는 펠리클은 아직 완전한 개발이 이뤄지지 않았다. 삼성전자는 7나노 공정에서 2개의 회로 층에 EUV 노광 공정을 수행할 예정이다. 5나노에선 이 층 숫자가 6개로 확대된다. 그러나 충분한 내구성과 광 전달능력을 확보한 펠리클이 나오지 않는다면 이렇게 적용 범위를 넓혀가긴 힘들 것으로 분석됐다.

 

3 차세대 D램에 EUV 공정 적용
장성진 D램 개발실 부사장은 현재 2세대 1y 나노 D램 후속인 1z와 1a 공정에선 EUV를 활용하게 될 것이라고 밝혔다. 시스템반도체에 이어 D램 공정에서도 EUV가 적극 활용된다. 현재 개발이 이뤄지고 있다. 일본 TOK, JSR 등 노광 공정용 핵심 재료인 포토레지스트(PR, 감광재) 선두 업체에 새로운 시장이 열리는 것이라고 전문가들은 평가했다. EUV PR는 일본 회사 정도만 상용화할 수 있는 역량을 갖췄다.

 

4 3D 낸드플래시 차세대도 '싱글스택'
경계현 메모리 플래시개발실 부사장은 "내년 양산 예정인 6세대 V낸드도 기존 1-스택의 극한 연장을 이어갈 것"이라고 밝혔다. 전문가는 이 같은 발표가 공정 원가 측면에서 중요한 의미를 갖는다고 설명했다.

SK하이닉스나 도시바 같은 회사는 이미 더블스택(2-스택) 방식으로 3D 낸드플래시를 생산 중이다. 더블스택은 적층 작업을 마친 3D 낸드플래시 두 개를 이어붙여 단수를 높이는 기술이다. 둘 사이에는 절연층이 존재한다. 더블스택은 단일로 셀을 쌓는 싱글스택 방식 대비 공정 숫자가 많고 재료도 더 많이 들어간다. 원가가 높아진다는 의미다. 더블스택으로 가는 이유는 일정 개수 이상의 단을 쌓으면 비틀어짐 혹은 휘어짐 현상이 발생하기 때문이다. 삼성전자는 이 같은 문제를 푼 것으로 추정된다. 경쟁사보다 더 저렴하게 제품을 생산할 수 있다.

 

5 메모리! 메모리! 메모리!
주요 미디어는 7나노 파운드리 등에 많은 관심을 보였으나 이날 행사는 메모리사업부의 신 제품군 발표가 주 목적이었다. 다양한 제품군이 선보여졌다.

256기가바이트(GB) 3DS RDIMM(Registered Dual In-Line Memory Module)은 실리콘 3D 적층 기술을 활용, 연결해 고속으로 동작할 수 있게끔 만든 서버용 D램 모듈이다. 초고성능, 초고용량이 특징으로 실시간 분석, 인메모리 데이터베이스 플랫폼에 최적화됐다.

7.68테라바이트(TB) 4비트(QLC) 서버 솔리드스테이트드라이브(SSD)도 공개했다. 지난 8월 소비자 SSD에 이어 서버용 SSD로도 QLC 기술을 확대 적용한다. 성능을 대폭 높인 512기가비트(Gb) QLC V낸드와 2비트(MLC) 설계를 통해 용량을 두 배 늘린 2세대 Z-NAND(SLC 128Gb, MLC 256Gb)도 선보였다.


댓글삭제
삭제한 댓글은 다시 복구할 수 없습니다.
그래도 삭제하시겠습니까?
댓글 0
댓글쓰기
계정을 선택하시면 로그인·계정인증을 통해
댓글을 남기실 수 있습니다.

  • 서울특별시 강서구 공항대로 213 (보타닉파크타워2) 615, 616호
  • 대표전화 : 02-2658-4707
  • 팩스 : 02-2659-4707
  • 청소년보호책임자 : 이수환
  • 법인명 : 주식회사 디일렉
  • 대표자 : 한주엽
  • 제호 : 디일렉
  • 등록번호 : 서울, 아05435
  • 사업자등록번호 : 327-86-01136
  • 등록일 : 2018-10-15
  • 발행일 : 2018-10-15
  • 발행인 : 한주엽
  • 편집인 : 한주엽
  • 전자부품 전문 미디어 디일렉 모든 콘텐츠(영상,기사, 사진)는 저작권법의 보호를 받은바, 무단 전재와 복사, 배포 등을 금합니다.
  • Copyright © 2019 전자부품 전문 미디어 디일렉. All rights reserved. mail to powerusr@thelec.kr
ND소프트