넥스칩, 허페이시와 180억위안 투자계약 체결
넥스칩, 허페이시와 180억위안 투자계약 체결
  • 디일렉
  • 승인 2020.10.13 11:31
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| 출처 : 허페이일보 | 9월 16일

○넥스칩, 허페이시와 두 번째 팹 계약 체결···180억위안(3조 1234억원) 투자 
- 지난 15일 허페이시에서 11개 반도체 관련 프로젝트 투자계약이 체결됐음.
- 계약 체결된 프로젝트 중 최대 규모는 180억위안(3조 1234억원)를 투자한 넥스칩(NEXCHIP). 
- 월 생산능력 4만장의 12인치 웨이퍼를 55나노미터 공정으로 양산하는 동시에 40나노미터 공정 개발도 진행할 계획. 
- 이는 넥스칩의 두 번째 팹 투자. 
- 넥스칩은 지난 2017년 12월에도 허페이에 첫 번째 팹을 건설한 바 있음. 당시 안후이성 첫 12인치 웨이퍼 파운드리이자 허페이시 최초의 100억위안 규모 반도체 프로젝트로 지난 7월 월 양산 최대 규모(2만 5000장)를 경신했음. 

- 차이후이자(蔡辉嘉) 넥스칩 CEO는 “허페이에는 반도체 전후방 기업이 밀집해 있고 특히 패널, 휴대폰 등 단말기 제조업체가 많다. 공급망이 잘 갖춰진 편인데도 올 들어 공급이 부족해 생산능력 확장이 시급한 상황”이라고 밝혔음.  

○허페이 반도체 재료 산업단지 출범
- 코로나19와 세계 경기 부진이 한꺼번에 닥치면서 반도체 재료의 중요성이 더욱 대두됨.
- 중국 주요 반도체 기업들은 본토 내에서 재료 조달을 하기 위한 공급생태계 구축에 적극 나서는 중. 중국의 우수한 재료기업들이 규모 확장, 시장 개척의 기회를 차지하고자 분주히 움직이고 있음. 
- 이러한 가운데 15일 허페이 반도체 재료 산업단지가 출범했음. 
- 허페이시 신잔(新站)구의 하이테크존 내 계획부지 10제곱킬로미터, 1차 구역 면적 3제곱킬로미터.
- 산업단지 측은 재료산업에 대한 철저한 분석과 체계적 계획을 통해 다양한 제품군, 공공인프라 완비, 산업 연계 발전을 실현하고 재료업체의 지속적 발전을 위한 전용 플랫폼이 되겠다는 포부.   
- 반도체 재료 산업단지의 출범을 통해 반도체 재료 분야 혁신의 선봉에 서려는 허페이시의 의지를 엿볼 수 있음.



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