'뉴 메모리'가 현재 주력인 D램과 플래시 메모리 시장 일부를 대체하면서 2030년에는 360억달러 규모로 성장할 것이라는 전망이 나왔다.
미국 메모리 시장조사업체 오브젝티브애널리시스(Objective Analysis)와 디지털 스토리지 전문 조사업체 코플린어소시에이트(Coughlin Associates)는 2일(현지시간) 공동 발간한 리포트(Emerging Memories Find Their Direction)에 이 같은 전망치를 담았다고 밝혔다.
뉴 메모리는 저항변화메모리(Re램), 상변화메모리(P램), 자성메모리(M램) 등을 의미한다. 뉴 메모리 모두 전원을 꺼도 데이터가 삭제되지 않는 비휘발성 특성을 갖고 있다.
인텔과 마이크론이 공동 개발한 3D 크로스포인트 메모리는 P램으로 분류된다. P램은 물질 상(相)이 비결정에서 결정질로 변할 때 1비트를 얻는 방식으로 동작한다. 인텔은 '옵태인'이라는 브랜드로 이 제품을 상용화했다. 옵태인 제품 중 서버에 탑재되는 옵태인 DC 퍼시스턴트 메모리는 기존 서버용 D램 모듈과 동일한 형태로 서버 메인보드에 꽂아 쓸 수 있다. D램보단 느리지만 용량당 단가는 저렴하다. 일반 낸드플래시보다는 성능이 좋다. 인텔은 이 제품으로 서버 시장에서 D램과 낸드플래시의 빈틈을 비집고 들어가려는 전략을 세웠다.
M램은 마이크로컨트롤러(MCU) 등 시스템온칩(SoC)에 임베디드하는 형태로 이미 상용화가 이뤄졌다. 삼성전자는 완전공핍형실리콘온인슐레이터(FD-SOI) 파운드리 공정으로 NXP의 SoC 일부에 플래시메모리 대신 M램을 내장하는 방식으로 파운드리 서비스를 해 주고 있다.
오브젝티브애널리시스와 코플린어소시에이트는 2030년까지 서버 시장에 채택되는 D램 대체용 3D 크로스포인트 메모리 매출이 250억달러 이상이 될 것이라고 예측했다. 독립형 M램 혹은 STT-램의 매출 역시 100억달러 이상으로 증가할 것이라고 내다봤다. Re램과 M램은 SoC에 임베디드되는 양이 많아지며 뉴 메모리 전반으로 매출 성장을 이끌 것이라고 전망했다.
조사업체는 보고서에서 "뉴 메모리는 독립형 메모리 칩으로는 물론, MCU나 주문형반도체(ASIC), 마이크로프로세서에 내장될 것으로 보인다"면서 "노어플래시, S램 및 D램 등 현재의 메모리 기술을 뉴 메모리가 대체해 나감으로써 큰 폭 성장할 것으로 보인다"고 설명했다.
뉴 메모리를 생산하기 위한 장비 투자도 늘어날 것이라고 예상했다. M램의 경우 지난해 제조장비 시장 규모가 4400만달러 규모에 그쳤지만 2030년 6억9600만달러 규모로 16배 커질 것이라고 내다봤다.
보고서에는 뉴 메모리별 기술 특징, 경쟁력, 약점이 소개돼 있다. 뉴 메모리 제조업체, 기술 라이선스 제공자, 파운드리 및 장비 회사 전반의 정보도 담겼다.
