삼성전자가 기존 대비 속도를 3배 높인 512기가바이트(GB) 내장형유니버설플래시저장장치(eUFS) 3.1을 양산한다고 17일 밝혔다.
신제품은 기존 512GB eUFS 3.0 대비 약 3배 빠른 연속 쓰기 속도(1200MB/s)로 5GB 풀HD 영화 한 편을 약 4초 만에 저장할 수 있다. SATA 인터페이스 솔리드스테이트드라이브(SSD)를 탑재한 PC의 데이터 처리속도(540MB/s)보다 2배 이상, UHS-I 마이크로SD 카드 속도(90MB/s) 보다 10배 이상 빠른 것이다. 연속 쓰기 속도란 스토리지 메모리에 영화와 같은 데이터를 저장하는 초당 속도를 의미한다.
신제품의 연속 읽기 속도는 2100MB/s, 임의 읽기와 임의 쓰기 속도는 각각 10만아이옵스(IOPS:Input/Output Operations Per Second), 7만IOPS다. 스마트폰에 삼성전자 신제품을 탑재하면 8K 초고화질 영상이나 수백장의 고용량 사진도 빠르게 저장할 수 있다.
삼성전자는 512GB, 256GB, 128GB 세가지 용량으로 구성된 eUFS 3.1 제품 라인업으로 올해 플래그십 스마트폰 메모리 시장을 선점할 계획이라고 밝혔다.
최철 삼성전자 메모리사업부 전략마케팅실 부사장은 "메모리 카드의 성능 한계를 뛰어넘은 eUFS 3.1을 본격 양산함으로써 소비자들이 스마트폰에서 데이터를 저장할 때 느꼈던 답답함을 말끔하게 해결했다"면서 "올해 모바일 제조사들이 요구하는 물량을 안정적으로 공급할 수 있도록 모든 준비를 해 나갈 것"이라고 밝혔다.
삼성전자는 평택캠퍼스 P1 라인에서 생산중인 5세대 V낸드를 6세대 V낸드로 본격 전환하고, 최근 첫 제품 출하식을 가진 중국 시안(西安) 신규 2라인(X2)에서도 5세대 V낸드 양산을 시작한다는 계획을 세워뒀다.
