삼성전자는 4일 차세대 슈퍼컴퓨터(HPC)와 인공지능(AI) 데이터 분석에 활용할 수 있는 3세대 고대역폭메모리(HBM2E:High Bandwidth Memory 2 Extended)를 출시했다고 밝혔다. 삼성전자는 이 제품에 '플래시볼트(Flashbolt)'라는 이름을 붙였다.
삼성전자는 2년 전 2세대 8기가바이트(GB) HBM2 D램 '아쿠아볼트(Aquabolt)'를 세계 최초로 개발, 업계 유일하게 양산해 왔다. 이번 3세대 제품도 발빠르게 양산해 초고속 D램 시장을 선점한다는 것이 삼성전자 전략이다.
HBM은 실리콘관통전극(TSV) 기술로 만든다. 기존 금선을 이용한 일반 D램 패키지에 비해 데이터 처리 속도를 크게 끌어올릴 수 있다.
신제품은 16기가바이트(GB) 용량으로 기존 2세대 HBM 대비 속도와 용량이 각각 1.3배, 2.0배 향상됐다.
플래시볼트는 1개 버퍼 칩 위에 16기가비트(Gb) D램 칩(10나노급) 8개를 쌓아 16GB 용량을 구현했다. D램 칩에 5600개 이상의 미세한 구멍을 뚫고 총 4만개 이상의 TSV 접합볼로 8개 칩을 수직 연결했다. 신호전송 최적화 회로 설계를 활용해 총 1024개 데이터 전달 통로에서 초당 3.2기가비트 속도로 410기가바이트 데이터를 처리한다. 5GB 풀HD 영화 82편을 1초에 전달할 수 있는 수준이다.
이 제품은 또 세계 최초로 초당 4.2기가비트까지 데이터 전달 속도 특성을 확보해 향후 특정 분야의 차세대 시스템에서는 538기가바이트를 1초에 처리할 수 있을 것으로 전망된다. 2세대 제품과 비교할 경우 초당 데이터 처리 속도가 1.75배 이상 향상되는 것이다.
삼성전자는 올해 이 제품을 양산한다. 기존 AI 기반 초고속 데이터 분석 및 고성능 그래픽 시스템이 수요처다.
최철 삼성전자 메모리사업부 전략마케팅실 부사장은 "역대 최고 성능의 차세대 D램 패키지 출시로 빠르게 성장하는 프리미엄 시장에서 사업 경쟁력을 계속 유지할 수 있게 됐다"고 말했다.
