삼성 파운드리, 래티스 28나노 FD-SOI 공정 FPGA 생산
삼성 파운드리, 래티스 28나노 FD-SOI 공정 FPGA 생산
  • 전동엽 기자
  • 승인 2019.12.11 08:37
  • 댓글 1
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eM램, 자동차용 파운드리 플랫폼으로 28나노 경쟁력 강화
래티스 임베디드 비전 FPGA '크로스링크-NX'. 삼성전자 28나노 FD-SOI 파운드리에서 생산될 예정이다.

삼성전자가 28나노 완전공핍형 실리콘 온 인슐레이터(FD-SOI) 공정 위탁생산(파운드리) 신규 고객사로 프로그래머블반도체(FPGA) 업체 래티스를 확보했다. 래티스가 삼성전자 파운드리와 협력한 것은 이번이 처음이다.

11일 래티스는 28나노 FD-SOI 공정으로 생산된 FPGA 플랫폼 '래티스 넥서스'와 해당 플랫폼으로 만든 칩인 '크로스링크-NX'를 공개했다. 잉 젠 첸 래티스 아시아태평양 지역 사업개발 이사는 이 제품이 삼성전자 파운드리에서 생산된다고 밝혔다.

크로스링크-NX는 임베디드 비전 FPGA 제품이다. 카메라 장비에 내장된다. 고해상도 영상을 처리할 수 있다. 인공지능(AI) 기술을 활용해 다양한 응용 기능을 구현할 수 있다. FD-SOI 기술로 생산돼 경쟁 제품 대비 전력 소모량으르 75% 절감했다. 크기는 90% 축소했다. 전원이 들어가고 동작하기까지 대기 시간이 8ms 수준으로 낮다. 자동차, 드론, 보안카메라, 머신비전 등에 탑재돼 탑재돼 영상 데이터를 처리하는데 적합하다. 

FD-SOI는 실리콘 웨이퍼 위에 전기가 통하지 않는 절연막을 형성하고 그 위에 트랜지스터를 구성하는 기술이다. 실리콘 웨이퍼 위로 올라간 절연 산화막은 트랜지스터 아래쪽 공간을 완전히 공핍하기 때문에 전자가 게이트를 거쳐 이동할 때 발생하는 기생 용량을 낮추고 누설 전류도 크게 감소시킨다. 생산공정도 줄일 수 있어 원가절감이 가능하다. 기생 용량은 반도체 소자에서 부수적으로 생기는 정전 용량이다.

삼성전자는 28나노 FD-SOI 공정 고객사 확보를 최근 영업력을 확대하고 있다. 이 공정은 주로 중보급형 반도체 위탁생산에 활용된다. 올해 초 삼성전자는 28나노 FD-SOI 공정으로 만든 eM램을 출하했다. M램은 전원을 꺼도 데이터가 유지되는 비휘발성을 가지고 있다. 기존에 사용되던 노어(NOR)플래시와 비교해 쓰기 속도가 1000배 더 빠르고 전력소비량이 낮다. 생산비용을 낮춰 저렴한 가격으로 공급할 수 있다고 삼성전자는 설명했다.

FD-SOI 공정은 차량 반도체 파운드리용으로도 경쟁력을 발휘할 것으로 예상된다. 삼성전자는 지난 10월 독일에서 열린 '삼성 파운드리 포럼'에서 28나노 FD-SOI를 소개하면서 차량 파운드리 시장을 본격 공략할 예정이라고 밝힌 바 있다. 


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박성원 2019-12-11 09:41:17
Xilinx는 2018년 연간 보고서에서 아래와 같이 밝힌 적이 있습니다.

[as a fabless semiconductor company, we do not manufacutre wafres used for out IC products or PROMs. Rather, we purchase our wafers from independent foundries including TSMC, United Microelectronics Corparationg (UMC) and Samsung Electronics Co ., Ltd. (Samsung). TSMC manufactures the wafers for our Advanced Products.]

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