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창신메모리 "이미 D램 생산 중"...중국 유일 D램 생산업체
창신메모리 "이미 D램 생산 중"...중국 유일 D램 생산업체
  • 전동엽 기자
  • 승인 2019.12.06 21:04
  • 댓글 0
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현재 CAPA 월 2만장 수준, 내년 상반기까지 두 배 확대
(사진 : CXMT 홈페이지)

중국 메모리 반도체 기업 창신메모리(CXMT, 구 이노트론)가 생산시설과 연구개발(R&D) 시설을 완공했다.

EE타임즈는 3일(현지시간) 창신메모리가 안후이성 허페이에 팹1과 R&D 시설을 완공했으며 현재 300mm 웨이퍼 월 2만장 수준 생산능력(CAPA)을 갖췄다고 보도했다. 2020년 2분기까지 월 4만장 수준으로 생산능력을 두 배 늘릴 예정이다. 팹1 옆에 두 개 팹을 더 건설해 향후 월 12만장 수준까지 확대한다는 계획이다. 

이미 '10G1'이라고 부르는 19나노 공정으로 LPDDR4, DDR4 8Gb D램 제품을 생산하기 시작했다고 밝혔다. 내년 1분기 출시를 목표로 하고 있다. 내년 하반기에는 차기 공정인 17나노 공정 '10G3'을 도입해 DDR4, LPDDR4X, DDR5 및 LPDDR5 제품을 생산할 예정이다. 차차기 공정인 10G5는 극자외선(EUV)노광공정을 도입할 예정이다. 

창신메모리는 중국이 메모리 반도체 국산화를 목표로 세운 반도체 기업 중 하나다. 중국은 푸젠진화, 창장메모리를 포함 3개 메모리 반도체 기업을 세웠다. 3개 회사에 막대한 자금을 투입해 지원하고 있다.

푸젠진화는 창신메모리보다 앞서 D램 생산을 추진하던 기업이다. 현재 푸젠진화는 D램 생산을 포기하고 파운드리 전환을 검토하고 있다. 지난해 10월 미국 정부가 푸젠진화에 대한 미국 반도체 장비 수출 제한을 걸어 장비 도입에 차질을 빚은 게 원인으로 분석됐다. 중국 법원이 미국 마이크론사와 특허분쟁을 이유로 중국 내 마이크론 제품 판매정지를 승인한 것이 발단이 됐다.

창신메모리도 푸젠진화 사례를 의식하고 있었다. 리우 홍위 창신메모리 부사장은 EE타임즈와 인터뷰에서 "타사에서 영입한 직원이 가져온 영업 비밀이 자체 개발한 기술에 영향을 주지 않았다는 것을 입증하는 것이 중요하다"고 말했다. 

창신메모리는 구체적으로 어디서 메모리 설계자산(IP)를 얻고 있는지 밝히지 않았다. 업계에서는 창신메모리가 키몬다의 메모리 IP를 활용하고 있다고 보고 있다. 창신메모리는 회사 컨설턴트로 24년간 키몬다에서 근무한 엔지니어를 고용했다. 키몬다는 독일 인피니언테크놀로지스에서 분사한 메모리 기업이다. 2009년 파산했지만 키몬다 IP는 캐나다 이동통신 기술 업체인 와이랜이 보유하고 있다. 와이랜은 업계에서 '특허괴물'로 통하고 있다. 

창신메모리는 향후 독자적인 메모리 IP를 보유하겠다는 계획이다. 리우 부사장은 "해외전문가에 의존해서 기술력을 갖추지 않을 것"이라며 "이미 2000여명 기술전문가가 근무하고 있고 매년 중국 대학에서 500명 정도 신입사원을 고용할 것"이라고 말했다.


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