삼성전자가 싱글스택 기술을 적용한 128단 6세대 3D V낸드의 응용 제품을 내년에 대거 출시할 계획이라고 일본 IT 전문매체 와치임프레스가 보도했다.
매체에 따르면 한진만 삼성전자 메모리사업부 전무는 지난 19일 일본 도쿄에서 열린 '삼성 SSD 포럼 2019 도쿄'에서 이 같은 계획을 밝혔다. 한 전무는 "해당 제품은 트리플레벨셀(TLC)로 구현 시 최대 512기가비트(Gb) 용량을 달성할 수 있다"면서 "5년 내 500단 이상을 쌓는 것을 목표로 연구하고 있다"고 말했다.
싱글스택은 높게 쌓은 저장 공간에 전류가 흐르는 구멍인 채널 홀(Hole)을 한 번에 뚫는 것을 말한다. 더블스택보다 공정수가 적고 재료도 덜 들어간다. 원가 측면에서 유리하다. 그러나 공정 난도가 높다. 일정 개수 이상의 단을 쌓으면 비틀어짐 혹은 휘어짐 현장이 발생한다. 이 때문에 삼성을 제외한 나머지 낸드플래시 생산 업체는 더블스택 기술을 활용하고 있다. 더블스택은 적층 작업을 마친 낸드 두 개를 이어 붙여 단수를 높이는 기술이다. 이 경우 공정 스탭이 늘어나 원가 측면에선 부정적이다.
삼성전자는 채널 홀 미세한 구멍을 균일하게, 깊게 파내는 HARC(High Aspect Ratio Contact) 기술을 보유하고 있다. 삼성전자가 제공한 자료에 따르면 200단대까지는 싱글 스택 기술을 고수할 것으로 보인다.
응용 제품군 쏟아질 듯
한 전무는 이날 6세대 3D V낸드를 적용한 솔루션을 소개했다. 시장에 순차 출시될 예정이다.
6세대 3D 낸드를 적용한 PCIe Gen4 규격 솔리드스테이트드라이브(SSD) 'PM1733'는 순차 읽기 6400MB/s 속도로 고속 전송이 가능하다. U.2 폼팩터에 30.72TB의 대용량 모델로 출시한다. 광대역에서 높은 안정성을 요구하는 클라우드에 적합하다. 듀얼 포트로 설계해 컨트롤러 두 개를 탑재했다. 한쪽이 손상돼도 계속 작동한다.
Z-SSD는 싱글레벨셀(SLC) 낸드 기반으로 게이트 폭을 최적화했다. TLC 기반 일반 SSD보다 5.5분의 1 수준 응답속도를 구현했다. 하드디스크드라이브(HDD) 대체 수요에 대응할 수 있는 SAS(Serial Attached SCSI) SSD도 제품 개발을 계속하고 있다고 밝혔다.
삼성전자가 주도하는 NF1(NGSFF : Next Generation Small Form Factor) 규격 뿐 아니라 타사 주도 규격을 포함한 다양한 폼팩터로 제품을 생산할 것이라고 한 전무는 밝혔다. 대역폭을 두 배로 확장한 PCIe Gen5 기반 SSD도 개발하고 있다고 그는 밝혔다. 프로그래머블반도체(FPGA)를 내장해 중앙처리장치(CPU) 연산을 줄이는 '스마트SSD’' 이더넷으로 스토리지 확장을 편리하게 하는 '이더넷 SSD' 등 미래 SSD 제품도 소개했다.
스마트폰 전용 유니버셜플래시스토리지(USF) 3.0 제품도 공개했다. UFS카드는 마이크로SD카드보다 빠르고 안정성이 높다. 오류를 복구하거나 자동으로 재전송하는 기능을 지원한다.
