삼성전자, 7나노 신형 AP '엑시노스 990' 공개
삼성전자, 7나노 신형 AP '엑시노스 990' 공개
  • 전동엽 기자
  • 승인 2019.10.24 16:01
  • 댓글 0
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삼성 테크 데이 2019서
강인엽 삼성전자 시스템 LSI사업부 사장

삼성전자는 23일(현지시간) 미국 실리콘밸리 소재 사옥에서 '삼성 테크 데이 2019'를 개최했다고 밝혔다. 테크 데이는 삼성전자 반도체 신기술을 선보이는 행사다. 매년 열린다. 올해로 세 번째다.

행사에서 삼성전자는 고성능 모바일 애플리케이션프로세서(AP) '엑시노스 990'을 공개했다. 7나노 극자외선(EUV) 공정으로 생산되는 칩이다. 2개 신경망처리장치(NPU) 코어로 인공지능(AI) 연산 성능을 대폭 높였다. 초당 10조회(TOPs) 이상 AI 연산 성능을 확보했다. 모바일 기기에서 사물·음성인식, 딥러닝 등 AI를 활용할 수 있다.

신제품에는 자체 개발한 코어 2개와 ARM의 코어텍스-A76 코어 2개, 저전력 코어텍스-A55 코어 4개가 탑재됐다. 삼성은 이를 '2+2+4 트라이 클러스터 구조'라고 설명했다. 기존 모바일 AP 대비 성능이 20% 향상됐다. ARM의 말리-G77 그래픽처리장치(GPU)를 탑재해 그래픽 성능도 최대 20% 이상 높였다고 설명했다. 

엑시노스 990

5G 모뎀 신제품 '엑시노스 모뎀 5123'도 공개했다. 5G망을 단독 사용하는 스탠드얼론(SA)모드와 롱텀에벌루션(LTE) 망을 공유하는 논스탠드얼론(NSA) 모드를 모두 사용할 수 있다. 8개 주파수를 하나로 묶는 기술을 적용해 초당 최대 7.35기가비트(Gb)의 다운로드 속도를 낸다. 초당 7.35Gb는 풀HD급 영화 한편(3.7GB)을 약 4초만에 내려 받을 수 있는 속도다. 삼성전자는 '엑시노스 990'과 '엑시노스 모뎀 5123'을 연내 양산할 계획이라고 밝혔다.

메모리 부분, 신제품 및 기술 전략 다수 공개

삼성전자는 내년 초 3세대 10나노급(1z) D램을 시장에 공급할 것이라 밝혔다. 512GB DDR5 D램을 비롯해 차세대 메모리 제품을 글로벌 고객에게 적기에 제공하는 것이 목표라고 전했다. 7세대(1yy) V낸드는 내년에 출시할 계획이라고 밝혔다. 100단 이상의 셀을 한 번에 뚫는 단일 공정으로 제작된다. 2세대 'Z-NAND'도 현장에서 공개했다. 1세대 대비 읽기응답 시간(tR) 및 지연 시간(Latency)을 개선했다.

이 날 행사에서 삼성전자는 'PCIe Gen5 NVMe SSD' 사업화 계획을 공개했다. PCIe는 데이터 입출력을 위한 직렬 데이터 전송 구조의 인터페이스다. 숫자로 세대를 구분하며 숫자가 클수록 전송속도가 빠르다. SATA SSD보다 최대 25배 이상 빠른 연속 읽기(14GB/s)·쓰기 속도(10GB/s)를 목표로 개발 중이다.  임의 읽기·쓰기 속도는 각각 340만, 40만 초당 입출력 작업 처리 속도(IOPS) 구현이 목표다.

12GB uMCP
12GB uMCP

'12GB LPDDR4X uMCP(UFS-Based Multi Chip Package)도 공개했다. 초당 4266Mb D램 읽기/쓰기 속도에 용량은 1.5배 높였다고 설명했다. uMCP는 UFS규격 낸드플래시와 모바일 D램을 하나로 패키징한 제품이다. 적은 공간을 차지해 스마트폰에 주로 탑재되고 있다.

최주선 삼성전자 미주 지역총괄 부사장은 "반도체 기술 개발을 통해 미래 IT 산업 전반에 걸쳐 새로운 가능성을 만드는데 기여할 것"이라고 밝혔다.



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