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SK하이닉스, 3세대 10나노급 D램 개발
SK하이닉스, 3세대 10나노급 D램 개발
  • 전동엽 기자
  • 승인 2019.10.21 15:15
  • 댓글 0
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내년부터 공급
3세대 10나노급(1z) DDR4 D램
3세대 10나노급(1z) DDR4 D램

SK하이닉스가 3세대 10나노급(1z) 미세공정을 적용한 16기가비트(Gb) DDR4 D램을 개발했다고 21일 밝혔다. 

단일 칩 기준 업계 최대 용량인 16Gb를 구현했다. 웨이퍼 한 장에서 생산되는 총 용량도 현존 D램 중 가장 크다. 2세대(1y) 제품 대비 생산성이 약 27% 향상됐다. SK하이닉스는 "극자외선(EUV) 노광 공정 없이도 생산 가능해 원가 경쟁력을 갖췄다"고 설명했다. 

데이터 전송속도는 최대 3200Mbps까지 지원한다. 전력 효율을 대폭 높여 2세대 8Gb 제품으로 만든 동일 용량 모듈 대비 전력소비를 약 40% 줄였다. 

특히 3세대 제품은 신규 물질을 적용해 D램 동작의 핵심 요소인 정전용량을 극대화했다. 정전용량은 전하를 저장할 수 있는 양 혹은 능력을 뜻한다. D램의 정전용량이 늘어나면 데이터 유지시간과 정합도가 상승한다. 새로운 설계 기술 도입으로 동작 안정성도 높였다. 

이정훈 D램개발사업 1z TF 담당은 "3세대 10나노급 DDR4 D램은 업계 최고 수준의 용량과 속도에 전력 효율까지 갖췄다"며 "연내에 양산 준비를 마치고 내년부터 공급에 나설 것"이라고 밝혔다. 

SK하이닉스는 차세대 모바일 D램인 LPDDR5와 최고속 D램 HBM3 등 다양한 응용처에 걸쳐 3세대 10나노급 미세공정 기술을 확대 적용해나갈 계획이다.


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