10나노 이하 반도체 공정 생산능력 급성장... 5년 뒤 전체 25% 차지
10나노 이하 반도체 공정 생산능력 급성장... 5년 뒤 전체 25% 차지
  • 전동엽 기자
  • 승인 2019.10.17 15:43
  • 댓글 0
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28나노 이하 공정은 한국이 가장 앞서

10나노 이하 반도체 공정 생산능력(CAPA)이 빠른 속도로 성장하고 있다. 2023년에는 전체 공정 중 가장 높은 생산능력을 달성할 것이라는 전망이 나왔다.

IC인사이츠는 17일 '글로벌 웨이퍼 생산능력 2019-2023' 보고서를 통해 이 같은 전망을 냈다. 10나노 이하 공정은 현재 대량 생산을 시작했으며 2019년에는 전 세계 생산능력의 5%를 차지할 것으로 예측된다. 10나노 이하 생산능력은 2023년까지 25%로 뛰어오를 전망이다. 이는 각 공정별 비중 가운데 가장 높은 수치다.

구체 사항을 뜯어보면 이렇다. 200mm 웨이퍼로 환산한 2019년 12월 생산 전망에 따르면 가장 큰 비중을 차지하는 공정은 20나노 이하, 10나노 이상이 될 것으로 추정됐다. 절대 장수는 약 661만장이다. 이는 12월 전체 생산량인 2027만장의 약 32% 수준이다. 10나노 이하 공정은 105만장의 생산량이 전망됐다.

2023년 10나노 이하 공정 생산량은 대폭 상승해 가장 큰 비중을 차지하게 된다. 장수는 627만장에 이를 것으로 전망됐다. 2023년 전체 생산량인 2535만장의 약 25% 수준이다. 20나노 이하 10나노 이상 공정은 소폭 감소해 529만장을 기록할 것으로 예측됐다. 

IC인사이츠는 한국이 진보된 공정(20나노 이하)에서 가장 큰 비중을 차지하는 국가라고 평가했다.

한국(삼성)과 대만(TSMC)은 현재 10나노 이하 공정 팹을 가동하는 지역이다. 보고서에 따르면 한국과 일본은 20나노 이하 10나노 이상 부문에서 생산능력의 큰 비중을 차지하고 있으며, 대부분이 낸드플래시와 D램 생산에 사용되고 있다. 대만은 20나노에서 10나노 생산능력의 큰 비중을 차지하고 있으며 그중 약 절반은 파운드리 서비스용이고 나머지 절반은 D램 생산용이다. 

IC인사이츠는 한국은 28나노 이하 공정에서 다른 국가보다 훨씬 더 앞선 수준을 유지하고 있다고 평가했다. 삼성전자와 SK하이닉스가 고밀도 D램과 플래시메모리 제품을 주력으로 하고 있기 때문에 한국이 첨단 공정 전용 웨이퍼 생산능력 중 가장 높은 비중을 차지하고 있다고 분석했다. 보다 고난도 공정인 20나노 이하로 범위를 줄여도 한국이 전체 생산능력에서 가장 큰 비중을 차지하고 있다. 특히 로직 기반 공정의 경우 대만, 북미, 한국이 가장 높은 비중을 보이고 있다고 밝혔다.

대만은 65나노 이하 28나노 이상 공정 및 0.2마이크로 이하 65나노 이상 기술 부문에서 가장 큰 생산능력를 보유하고 있다. 28나노, 45/40나노, 65나노 공정은 TSMC와 UMC와 같은 파운드리 업체에서 지속적으로 사업을 창출하고 있다.


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