로옴이 실외용 발전 시스템과 충·방전 시험기 등에 적합한 실리콘카바이드(SiC) 전력반도체 모듈 'BSM250D17P2E004'를 개발했다고 10일 밝혔다.
1700볼트(V) 고압에서 주로 사용하던 절연게이트양극형트랜지스터(IGBT) 전력반도체 대신 사용할 수 있다. 그동안 SiC 전력반도체는 1200V 정도에서 주로 사용됐다. 새로운 코팅 재료와 공법을 도입해 누설되는 전류를 최소화했다. 1000시간을 초과해도 절연 파괴를 일으키지 않는다.
모듈에는 로옴의 SiC 모스펫(MOSFET)과 SiC 쇼트키 배리어 다이오드(SBD)를 적용했다. 내부 구조를 최적화해 동급 제품보다 10% 우수한 ON 저항(드레인-소스 간 저항치)을 제공한다. 10월부터 양산을 시작했다.
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