로옴, 4단자 패키지 SiC 모스펫 개발
로옴, 4단자 패키지 SiC 모스펫 개발
  • 전동엽 기자
  • 승인 2019.09.19 10:49
  • 댓글 0
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기존 3단자 대비 스위칭 손실 35% 저감

로옴은 서버용 전원 및 태양광 인버터, 자동차 충전소 등에 적합한 650볼트(V)/1200V 내압 트렌치 게이트 구조  실리콘카바이드(SiC) 모스펫(MOSFET) 'SCT3xxx xR 시리즈'를 개발했다고 18일 밝혔다.

4단자 패키지(TO-247-4L)는 파워 소스 단자와 드라이버 소스 단자를 분리할 수 있다. 인덕턴스 성분으로 인한 영향의 억제가 가능하다. SiC MOSFET의 고속 스위칭 성능을 최대화할 수 있다. 기존 3단자 패키지 대비 대비 약 35%의 에너지 손실을 줄일 수 있다.

8월부터 월 50만개의 생산 체제로 양산을 이뤄지고 있다. 제품 가격은 샘플 기준으로 2100엔이다.



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