로옴, 4단자 패키지 SiC 모스펫 개발
로옴, 4단자 패키지 SiC 모스펫 개발
  • 전동엽 기자
  • 승인 2019.09.19 10:49
  • 댓글 0
이 기사를 공유합니다

기존 3단자 대비 스위칭 손실 35% 저감

로옴은 서버용 전원 및 태양광 인버터, 자동차 충전소 등에 적합한 650볼트(V)/1200V 내압 트렌치 게이트 구조  실리콘카바이드(SiC) 모스펫(MOSFET) 'SCT3xxx xR 시리즈'를 개발했다고 18일 밝혔다.

4단자 패키지(TO-247-4L)는 파워 소스 단자와 드라이버 소스 단자를 분리할 수 있다. 인덕턴스 성분으로 인한 영향의 억제가 가능하다. SiC MOSFET의 고속 스위칭 성능을 최대화할 수 있다. 기존 3단자 패키지 대비 대비 약 35%의 에너지 손실을 줄일 수 있다.

8월부터 월 50만개의 생산 체제로 양산을 이뤄지고 있다. 제품 가격은 샘플 기준으로 2100엔이다.



댓글삭제
삭제한 댓글은 다시 복구할 수 없습니다.
그래도 삭제하시겠습니까?
댓글 0
댓글쓰기
계정을 선택하시면 로그인·계정인증을 통해
댓글을 남기실 수 있습니다.

  • 서울특별시 강서구 공항대로 213 (보타닉파크타워2) 615, 616호
  • 대표전화 : 02-2658-4707
  • 팩스 : 02-2659-4707
  • 청소년보호책임자 : 이수환
  • 법인명 : 주식회사 디일렉
  • 대표자 : 한주엽
  • 제호 : 디일렉
  • 등록번호 : 서울, 아05435
  • 사업자등록번호 : 327-86-01136
  • 등록일 : 2018-10-15
  • 발행일 : 2018-10-15
  • 발행인 : 한주엽
  • 편집인 : 한주엽
  • 전자부품 전문 미디어 디일렉 모든 콘텐츠(영상,기사, 사진)는 저작권법의 보호를 받은바, 무단 전재와 복사, 배포 등을 금합니다.
  • Copyright © 2019 전자부품 전문 미디어 디일렉. All rights reserved. mail to powerusr@thelec.kr
ND소프트