정은승 삼성전자 파운드리사업부장(사장)이 3일 미국 샌프란시스코에서 열린 국제반도체소자학회(IEDM:International Electronic Devices Meeting)에서 기조연설을 했다.
정 사장은 이날 연설에서 게이트올어라운드(GAA:Gate-All-Around) 트랜지스터 구조를 적용한 3나노 공정 연구 성과를 공개했다. 3나노 공정에 대한 성능 검증을 마치고 기술 완성도를 높여나가고 있다는 것이 정 사장 설명이다.
GAA는 전류가 흐르는 게이트 통로를 기존 각형 핀펫 구조에서 모든 면에 두는 것이 핵심이다. 핀펫은 3개 면에서 전류가 흘렀지만, GAA는 게이트를 감싸는 모든 면으로 전류를 흘릴 수 있다. 전류가 흐르는 통로가 커지면 그 만큼 성능이 좋아진다.
이날 정 사장은 4차 산업혁명 시대에 급증하는 데이터를 처리하려면 반도체 집적도를 높여 성능과 전력효율을 지속적으로 향상시켜야 한다고 설명했다. 이를 위해 극자외선(EUV) 노광기술, STT-MRAM 등 첨단 파운드리 기술 진화가 중요하다고 강조했다. 모두 삼성 파운드리가 주력으로 내세우는 기술이다.
정 사장은 또한 향후 파운드리 사업은 반도체를 위탁 제조하는 기존 역할을 강화할 뿐 아니라 고객 요청에 따라 디자인 서비스부터 패키지/테스트까지 협력을 확대하게 될 것이라고 강조했다.
정은승 사장은 "최근 반도체 업계의 다양한 기술 성과는 장비와 재료 분야의 협력 없이는 불가능했다"면서 "앞으로도 업계, 연구소, 학계의 경계 없는 협력이 반드시 필요하다"고 강조했다.
정 사장이 기조연설에 나선 IEDM은 ISSCC(International Solid-State Circuit Conference), VLSI(Very Large Scale Integration) 학회와 함께 세계 3대 반도체 학회 중 하나로 꼽힌다.
