대만도 D램 생산 확대... 윈본드, 두 번째 300mm 공장 착공
대만도 D램 생산 확대... 윈본드, 두 번째 300mm 공장 착공
  • 이종준 기자 | semiphil@thelec.kr
  • 승인 2018.10.04 14:56
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25나노미터 D램 생산, 2021년부터 양산 가동 목표
윈본드 본사 전경.
윈본드 본사 전경.

대만 윈본드(华邦電子:화방전자)가 지난 3일 남타이완 사이언스파크가오슝원에서 두번째 12인치(300mm) 웨이퍼 반도체 공장 착공식을 열었다고 밝혔다.

이 공장에선 회로선폭이 25나노미터인 D램이 생산된다. 이날 착공한 공장은 2020년 완공하고 2021년부터 양산을 시작할 계획이다.

이날 착공식에는 천쥔 대만 총통부비서장(비서실장)과 천량지 과기부장(장관) 등이 참석했다.

대기원(大纪元), 공상시보(工商时报) 등 현지언론에 따르면 윈본드 가오슝(高雄) 공장의 총 투자규모는 우리돈 약 12조2000억원(3350억대만달러)이다. 작년 연매출 1조7000억원(476억NT$)의 7배에 달한다. 1단계 투자금은 7400억원(204억NT$)으로 초기 월생산능력은 2만8500장이 목표다.

화방전자의 매출 비중은 D램과 플래시메모리가 각각 절반을 차지한다. 화방전자는 지난해 3분기부터 38나노미터 D램 양산을 시작했다. 주력인 46나노미터 D램 매출이 올해 2분기 D램 매출액의 80%다.

윈본드는 노어(NOR) 플래시 메모리 분야 업계 1위 공급사다. 주력 공정은 58나노미터다. 58나노미터 제품 매출은 올해 2분기 플래시 메모리 매출액의 55% 비중을 차지했다. 46나노미터는 17%비중이다.


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