마우저, TI GaN 전력 반도체 LMG1210 공급
마우저, TI GaN 전력 반도체 LMG1210 공급
  • 한주엽 기자
  • 승인 2019.08.20 18:49
  • 댓글 0
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전자부품 유통 전문 기업인 마우저일렉트로닉스는 20일 텍사스인스트루먼츠(TI)의 200볼프(V) 하프브릿지 모스펫(MOSFET)과 질화갈륨(GaN) 펫(FET) 드라이버 LMG1210을 공급한다고 발표했다.

마우저는 해당 제품에 대해 “고속 DC/DC 변환기, 모터 제어, 클래스-D 오디오 증폭기, 클래스-E 무선 충전, RF 엔벨로프 추적, 기타 전력 변환 애플리케이션 등 다양한 분야에 사용할 수 있는 소자”라고 소개했다.

LMG1210은 기존 실리콘 기반 소자 대비 전력 효율과 밀도 높고 전체 시스템 크기를 축소할 수 있다는 것이 제조사 설명이다. 속도가 빨라야 하는 전력 변환 애플리케이션에 최적화됐다.

신제품은 50MHz 하프 브리지 드라이버로, 최대 200V 증가 모드에서 GaN FET과 함께 작동하도록 설계됐다. 전파 지연 시간은 10ns으로 짧아 기존 실리콘 하프 브리지 드라이버보다 빠르게 작동한다. 1pF의 낮은 스위치 노드 정전용량과 함께 사용자가 조정할 수 있는 불감 시간 제어 기능을 갖췄다.

LMG1210은 하이 사이드-로우 사이드 지연 정합 시간이 3.4ns, 최소 펄스 폭이 4ns, 내부 LDO(Low Drop Out) 장치를 갖춰 공급 전압에 관계없이 5V 게이트 드라이브 전압을 제공한다. 공통 모드 과도응답 내용(CMTI)은 업계 최고 수준인 300V/ns 이상으로 높아 시스템 잡음 내성에 강하다.



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