램리서치, 3D 낸드 밀도 높이는 신규 장비 솔루션 공개
램리서치, 3D 낸드 밀도 높이는 신규 장비 솔루션 공개
  • 이예영 기자
  • 승인 2019.08.13 11:40
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반도체 장비업체 램리서치(Lam Research)가 새로운 웨이퍼 스트레스 관리 솔루션을 선보였다.

13일 램리서치는 3D 낸드 스케일링용 포트폴리오에 글로벌 웨이퍼 스트레스 관리 솔루션을 추가했다고 밝혔다. 후면 증착용 벡터(VECTOR) DT와 후면·베벨의 박막(film) 제거용 이오스(EOS) GS 습식 식각 장비군이 주인공.

3D 낸드 스케일링(미세화)을 위해선 적층 박막의 스트레스 누적에 따른 웨이퍼 보우(wafer bow)를 제어하면서 증착 층 수를 늘려야 한다. 스트레스로 인한 웨이퍼 변형(distortion)은 리소그래피 초점심도(depth-of-focus) 저하, 오버레이 성능 저하, 구조적 변형을 일으켜 웨이퍼 수율에 큰 영향을 미친다. 전체 제조 공정 단계에서 웨이퍼, 다이, 피처 수준의 스트레스를 관리해야 수율을 높일 수 있다.

벡터 DT 시스템은 램리서치의 플라즈마 화학기상 증착법(PECVD: plasma-enhanced chemical vapor deposition) 라인에 최근 추가된 제품이다. 3D 낸드 제조 시 웨이퍼 보우의 경제적인 제어 솔루션을 제공한다. 벡터 DT는 단일 단계(single-step) 솔루션이다. 웨이퍼 전면에는 닿지 않고 웨이퍼 후면에 가변 카운터 스트레스 박막을 증착해 웨이퍼 형상을 관리한다. 벡터 DT 솔루션을 적용하면 리소그래피 결과 향상, 보우로 인한 결함 감소, 고성능 하이 스트레스 박막 적용이 가능해진다.

램리서치는 후면 박막 제거 기술 이오스 GSE도 제공한다. 3D 낸드 제조과정에서 웨이퍼 스트레스를 유연하게 조정할 수 있다. 이오스 GS 습식 식각 제품은 벡터 DT를 보완한다. 후면과 베벨 박막을 동시에 제거해 습식 식각 균일성을 구현하고 웨이퍼 전면을 보호한다.

세샤 바라다라잔(Sesha Varadarajan) 램리서치 증착 제품 그룹 부사장은 “고객이 메모리 셀 층 수를 계속 늘리고 있어 누적 스트레스와 웨이퍼 보우가 리소그래피 장비의 한계를 초과할 수 있다"며 "목표 수율을 달성하고 비트당 비용 로드맵을 실현하려면 스트레스로 인한 변형을 최소화하는 것이 관건"이라고 말했다. 이어 "램리서치는 벡터 DT와 이오스 GS 시스템 추가로 스트레스 관리 솔루션을 확장하고 있다”고 덧붙였다.


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