초당 460GB(Pin당 3.6Gbps) 데이터 처리속도 구현
초고속 고대역폭메모리2E(HBM2E)가 조만간 시장에 출시된다. 삼성전자에 이어 SK하이닉스도 개발에 성공했다. D램 칩을 수직으로 적층해 대역폭을 높인 HBM류 메모리는 인공지능(AI) 연산을 위한 딥러닝 시스템에 주로 탑재될 것으로 예상되고 있다. 고대역폭을 통한 빠른 데이터 처리 속도가 특징인 만큼 추후 프리미엄 소비자 기기에도 탑재될 수 있다는 분석이 나온다.
SK하이닉스는 12일 업계 최고속 HBM2E D램 개발에 성공했다고 밝혔다. HBM2E는 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올렸다. 처리 속도가 이전 규격인 HBM2 대비 50% 향상됐다.
HBM2E는 3.6기가비트(Gbit/s) 처리 속도를 구현한다. 1024개 정보출입구(I/O)로 초당 460기가바이트(GB) 데이터 처리가 가능하다. FHD(Full-HD)급 영화(3.7GB) 124편 분량 데이터를 1초에 처리할 수 있는 속도다. 용량은 단일 제품 기준 16GB다. 실리콘관통전극(TSV) 기술로 16Gb 칩 8개를 수직 연결했다. 실리콘관통전극 기술은 D램 칩에 수천 개의 미세한 구멍을 뚫어 상하층 칩의 구멍을 수직으로 연결하는 상호연결 기술이다. 일반적으로 기존 패키지 방식 대비 크기는 30% 이상, 전력 소모는 50% 이상 감소시켜준다.
HBM2E는 고사양 메모리 솔루션이다. 초고속 특성이 필요한 고성능 그래픽처리장치(GPU), 머신러닝, 슈퍼컴퓨터, 인공지능(AI) 등 4차산업 기반 시스템에 적합하다. 메모리 칩을 모듈 형태로 만들어 메인보드에 연결하는 통상적 방식과 달리 HBM은 칩 자체를 GPU와 같은 로직 칩 등에 수십마이크로미터(um) 간격 수준으로 가까이 장착한다. 칩 간 거리를 단축시켜 더욱 빠른 데이터 처리가 가능하다.
전준현 SK하이닉스 HBM사업전략 담당은 “SK하이닉스는 2013년 세계 최초로 HBM D램을 출시한 이후 지금까지 기술 경쟁력을 바탕으로 시장을 선도해왔다”며 “HBM2E 시장이 열리는 내년부터 본격 양산을 개시해 프리미엄 메모리 시장에서 리더십을 지속 강화하겠다”고 밝혔다.
삼성전자는 지난 3월 엔비디아가 개최한 자체 개발자 콘퍼런스 GTC 2019에서 JEDEC의 HBM2E 표준 사양을 준수하는 HBM2E 신제품 플래시볼트(Flashbolt)를 선보인 바 있다.
