미국 제재에도...중국 메모리 굴기 강공
미국 제재에도...중국 메모리 굴기 강공
  • 이예영 기자
  • 승인 2019.06.24 16:27
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“반도체 국산화, 결국 승리할 것”

중국이 미국 제재에도 불구 메모리 시장 진입을 가속화하고 있다.

중국은 창장메모리(YMTC), 창신메모리(CXMT), 푸젠진화(JHICC) 등 3대 기업을 중심으로 메모리 국산화에 박차를 가하고 있다. 이 기업들은 국가 전략형 메모리 회사로 중국 반도체 업계에서 '중국산 메모리 희망'으로 불린다. 창장메모리는 낸드플래시, 창신메모리와 푸젠진화는 D램에 주력하고 있다.

중국 전문매체 IC스마트가 최근 보도를 통해 3사의 메모리 개발 과정과 향후 계획을 소개했다.

창장메모리는 즈광그룹(紫光集团) 산하 플래시메모리 업체다. 64단 3D 낸드플래시를 자체 개발해 올 하반기 정식 양산에 들어간다. 창장메모리는 2023년까지 세계 시장점유율 20%를 달성하는 것이 목표다. 이를 위해 3천여 명에 달하는 인원과 연 10억달러의 비용을 연구개발에 투입하고 있다고 밝혔다. 가오치취안(高启全) 창장메모리 집행이사는 “20%의 시장점유율은 연 100억달러의 보상으로 돌아올 것”이라며 “이는 나의 경험에서 나온 것”이라고 말했다.

중국 대표 D램 업체 창신메모리도 메모리 국산화에 성공했다. 창신메모리는 지난해 7월 8기가비트(Gb) DDR4 시험 생산에 돌입했다고 밝혔다. 중국이 독자 개발한 최초의 D램이다. 연내 정식 양산에 들어갈 예정이다. 지난 12일에는 창신메모리의 허페이(合肥) 지역 회사 허페이창신(合肥长鑫)이 자체 기술로 D램을 재설계했다고 밝혔다. 미중 기술 냉전이 이어지는 상황에서 미국 기술의 사용을 최소화하려는 목적이다.

창신메모리는 ‘D램 프로젝트 5개년 계획‘에 따라 내년 제2공장을 착공한 뒤 2021년 17나노 기술을 완성할 계획이다.

다만 푸젠진화는 미국의 제재로 어려움을 겪고 있다. 1년 전까지만 해도 푸젠진화는 창신메모리보다 먼저 D램을 생산할 것으로 알려졌다. 하지만 지난해 10월 미국 정부가 푸젠진화에 기술 스파이 의혹을 제기하고 자국기업에 푸젠진화와의 거래 중단을 명령하면서 D램 생산이 무산됐다. 이후 사실상 기술 개발이 중단된 것으로 전해졌다. 창신메모리가 D램 재설계에 열을 올리는 이유도 여기에 있다. 미국 기술을 최대한 배제해 푸젠진화의 전철을 밟지 않기 위해서다.

다만 업계에선 이 같은 노력에도 불구 10년 내 삼성전자와 SK하이닉스의 메모리 기술을 따라잡긴 힘들 것이란 분석이 나온다. 이 같은 분석에 대해 중국 현지 매체인 IC스마트는 "중국은 반도체 국산화를 위해 미중 무역분쟁 이전 대비 두 배 이상 노력하고 있다"며 "질 수 없는 싸움을 하고 있고, 결국 중국이 추월할 것"이라고 말했다.


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