삼성전자와 SK하이닉스, 마이크론의 1y D램은 모두 같을까? 결론부터 말하자면 그렇지 않다. 12일 마이크론과 SK하이닉스가 나란히 2세대 10나노(1y) D램을 공개했다. 삼성전자는 이미 지난해 12월 1y D램 양산 발표를 했다.
같은 1y D램이어도 크기 차이는 있다. 웨이퍼당 생산 칩 수를 의미하는 넷다이(Net Die)에서 차이가 발생한다는 의미다.
업계 자료에 따르면 삼성전자 넷다이가 가장 높고 그 다음이 SK하이닉스, 마이크론 순이다. 넷다이가 높아지면 다이(Die) 면적이 작아진다. 그만큼 웨이퍼당 뽑아낼 수 있는 칩의 숫자가 많아진다. 원가경쟁력이 좋아진다는 의미다. 업계에선 삼성전자, SK하이닉스와 비교해 마이크론의 미세공정이 적어도 1세대 가량 뒤처진 것으로 파악하고 있다. 1세대는 2년에서 2년 6개월 정도의 격차다.
다이 면적을 알면 웨이퍼 한 장에서 대략 몇 개의 칩을 뽑아낼 수 있는지 계산할 수 있다. 반도체 분석 전문업체 테크인사이트에 따르면 마이크론의 1세대 10나노(1x) 8기가비트(Gb) DDR4 D램의 다이 크기는 58.48㎟, 저장 밀도는 0.137Gb/㎟였다. 300㎜ 웨이퍼 원판의 면적(7만650㎟)을 대입해 계산하면 이론적으로 나올 수 있는 칩은 약 1045개다.
SK하이닉스 3세대 20나노(2z) 8Gb DDR4 D램의 다이 크기는 53.6㎟, 저장 밀도는 0.149Gb/㎟다. 이 경우 300㎜ 웨이퍼 원판에서 뽑아낼 수 있는 칩 숫자는 약 1144개다.
마이크론 1x가 SK하이닉스 2z보다 생산성이 떨어진다. 이 같은 결과에 비추면 1y D램도 비슷한 양상을 띨 것이라고 전문가들은 설명했다.
삼성전자는 어떨까. 공개된 다이 크기 수치는 없다. 다만 밀도로 역산은 가능하다. 1x 나노 D램의 저장 밀도는 0.189Gb/㎟에 달했다. 기존 2z 나노와 비교해 32.8% 늘어난 수치다. 셀 크기는 21.2% 줄었다. 여기에 지난해 11월부터 1y D램 양산을 시작했다. 이 제품은 생산성이 1x D램과 비교해 30% 정도 늘어났다. 웨이퍼 원판에서 뽑아내는 칩 개수가 가장 많을 것이라고 유출할 수 있다.
업계 관계자는 "같은 미세공정을 사용해도 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론의 원가경쟁력은 차이는 계속해서 유지되고 있다"라며 "마이크론은 일본 엘피다를 인수한 이후 미세공정을 마케팅용으로 활용하고 있다"라고 설명했다.
엘피다는 지난 2012년 마이크론에 매각됐다. 한때 국내 업체보다 빨리 D램 25나노 D램 개발 성공했다고 밝혔으나 실제로 양산에 성공하지는 못했다.
