마이크로칩, SiC 제품 출시...전기차·고전력 제품 지원한다
마이크로칩, SiC 제품 출시...전기차·고전력 제품 지원한다
  • 이예영 기자
  • 승인 2019.05.17 11:08
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700V MOSFET과 700V/1200V쇼트키 배리어 다이오드(SBD) 새롭게 추가
SiC 기술의 효율성과 전력 밀도 수요 증가
고객 선택 범위 확대

마이크로칩테크놀로지가 실리콘 카바이드(SiC) 파워 디바이스 출시로 전기차 수요에 대응한다. 신제품은 검증된 견고성과 와이드 밴드갭 기술의 성능을 제공한다.

마이크로칩테크놀로지가 자회사 마이크로세미(Microsemi)를 통해 SiC 파워 디바이스 제품군을 출시했다고 17일 밝혔다. 이번 SiC 디바이스는 전기차(EV)와 고전력 애플리케이션에 요구되는 SiC 제품군의 일부로 신뢰성을 높였다. 자동차, 산업, 항공, 방위 분야 애플리케이션에서 시스템 효율과 견고성, 전력 밀도를 개선하는 SiC 전력 제품이다.

700V SiC 모스펫(MOSFET)과 700V/1200V 쇼트키 배리어 다이오드(SBD)가 마이크로칩의 기존 SiC 전력 모듈 포트폴리오에 새롭게 추가됐다. 지금까지 포트폴리오에 추가된 35개 이상 디스크리트(discrete) 제품은 포괄적 개발 서비스와 툴, 레퍼런스 디자인 등으로 지원되며 뛰어난 견고성을 제공한다.

마이크로칩의 SiC MOSFET과 SBD는 더 높은 주파수에서 효율적인 스위칭이 가능하다. 장기적 신뢰성 보장을 위한 견고성 테스트를 거친다. UIS(Unclamped Inductive Switching) 견고성 테스트에서 마이크로칩의 SiC SBD는 다른 SiC 다이오드 대비 약 20% 더 높은 성능을 보였다. UIS 견고성 테스트는 디바이스가 애벌런치(Avalanche) 조건에서 성능 저하나 초기 장애를 얼마나 잘 견뎌내는지 측정한다. 애벌런치 조건은 전압 스파이크가 디바이스의 항복 전압을 초과하는 경우 발생한다.

마이크로칩의 SiC MOSFET도 고성 테스트에서 다른 제품을 능가하는 성능을 보여준다. 반복 UIS(RUIS) 테스트를 10만 회 수행해도 파라미터 상 성능 저하가 거의 나타나지 않아 우수한 게이트 산화물 차폐성과 채널 무결성을 증명한다.

리치 사이몬식(Rich Simoncic) 마이크로칩 디스크리트 및 전력 관리 사업부 수석 부사장은 “SiC 제품 수요 증가에 지속 부응하고자 글로벌 공급량 확보에 매진하고 있다”며 “마이크로칩은 고객이 개발 프로그램을 실행, 확장하는 데 필요한 인프라와 공급망을 바탕으로 포트폴리오를 구축하고 있다”고 말했다.

마이크로칩의 확장된 SiC 포트폴리오는 다양한 실리콘 카바이드 SPICE 모델, SiC 드라이버 보드 레퍼런스 디자인, 비엔나 역률 교정(PFC) 레퍼런스 디자인 등 지원을 받는다. 마이크로칩 SiC 제품은 관련 지원 상품과 함께 양산되고 있다. SiC MOSFET와 SiC 다이오드용 다이, 패키지 옵션도 다양하게 지원한다.


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