삼성전자가 14일(현지시간) 미국 산타클라라 메리어트 호텔에서 ‘삼성 파운드리 포럼 2019’를 개최했다. 이 자리에서 삼성전자는 차세대 3나노 게이트올어라운드(GAA:Gate-All-Around) 공정과 새로운 고객지원 프로그램인 ‘SAFE-클라우드’를 소개했다.
회사는 지난해 GAA를 3나노 공정에 도입하겠다고 밝힌 데 이어 올해 포럼에서는 3GAE(3나노 Gate-All-Around Early) 공정 설계 키트(PDK v0.1, Process Design Kit)를 팹리스 고객들에게 배포했다. 3GAE(3나노 Gate-All-Around Early)는 GAA 공정에서 1세대를 의미한다. 3GAP(3나노 Gate-All-Around Plus)는 성능과 전력이 개선된 2세대다.
PDK는 파운드리 회사의 제조공정에 최적화된 설계를 지원하는 데이터 파일이다. 이를 활용하면 팹리스 업체가 제품 설계를 보다 쉽게 할 수 있다. 삼성전자 3GAE 공정은 최신 양산 공정인 7나노 핀펫 대비 칩 면적을 45% 가량 줄일 수 있다. 약 50%의 소비전력 감소와 약 35%의 성능 향상 효과가 기대된다.
삼성전자는 3나노 공정에서 독자 MBCFET(Multi Bridge Channel FET) 기술을 통해 차별화된 이점을 팹리스 고객사들에게 제공할 계획이다. MBCFET은 기존 가늘고 긴 와이어 형태의 GAA 구조를 한층 더 발전시켜 종이처럼 얇고 긴 모양의 나노시트를 적층하는 방식이다. 성능과 전력효율을 높이고 핀펫 공정과도 호환성이 높아 기존 설비와 제조 기술을 활용할 수 있다는 장점을 가지고 있다.
삼성전자는 또 팹리스 고객에게 설계 편의를 제공하기 위해 SAFE-클라우드 서비스를 시작한다고 밝혔다. 이 서비스는 아마존웹서비스(AWS), 마이크로소프트(MS), 자동화 설계툴(EDA) 회사인 케이던스, 시놉시스와 함께 진행한다. 속도와 보안성이 검증된 클라우드 환경을 제공한다는 것이 삼성전자의 설명이다.
팹리스 고객은 SAFE-클라우드 서비스를 통해 삼성전자와 파트너사들이 제공하는 공정 설계 키트(PDK:Process Design Kit), 설계 방법론(DM:Design Methodologies), 자동화 설계 툴(EDA:Electronic Design Automation), 설계 자산(라이브러리, IP) 등을 이용해 투자 비용을 줄이고 보다 빠르게 반도체를 제작할 수 있다.
삼성전자 협력 반도체 디자인하우스 회사인 가온칩스의 정규동 대표는 “SAFE-클라우드는 자동화 툴과 공정 정보 등이 미리 구비돼 있어 신제품 설계에만 집중할 수 있는 준비된 환경”이라면서 “클라우드를 이용한 반도체 설계 환경은 중소규모 팹리스 업체에게 더 많은 사업 기회를 제공할 것”이라고 말했다.
정은승 삼성전자 파운드리사업부 사장은 “반도체 공정과 생산, 패키지 분야의 앞선 기술뿐만 아니라 파운드리 업체와 고객, 파트너가 서로 신뢰하고 비전을 공유하는 것도 매우 중요하다”면서 “이번 포럼을 통해 삼성전자의 기술적 성과와 목표를 공유할 수 있어서 무척 기쁘다”고 말했다.
이번 포럼에는 글로벌 팹리스 고객과 파트너사 800여 명이 참가해 인공지능(AI), 5G, 자율 주행, 사물인터넷(IoT) 등 4차 산업혁명 시대를 주도할 반도체 기술을 공유했다.
삼성전자는 전 세계 5개국에서 개최되는 파운드리 포럼 2019를 통해 파트너들과의 유기적인 협력을 확대하며 ‘가장 신뢰받는 파운드리 회사(The Most Trusted Foundry)’라는 비전을 실현해 나갈 계획이라고 밝혔다.
