SK하이닉스, 중국 우시 확장팹 준공
SK하이닉스, 중국 우시 확장팹 준공
  • 이예영 기자
  • 승인 2019.04.18 15:06
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미세공정 전환에 따른 생산공간 부족 문제 해결
추가 클린룸 공사·장비입고 시기는 미정
SK하이닉스 중국 우시 확장팹(C2F) 준공식에서 주요 참석자 들이 공장 준공을 알리는 버튼을 누르고 있다. 왼쪽 7번째부터 궈위엔창(郭元强) 강소성 부성장, 리샤오민(李小敏) 우시시 서기, 이석희 SK하이닉스 CEO, 최영삼 상하이 총영사
SK하이닉스 중국 우시 확장팹(C2F) 준공식에서 주요 참석자 들이 공장 준공을 알리는 버튼을 누르고 있다. 왼쪽 7번째부터 궈위엔창(郭元强) 강소성 부성장, 리샤오민(李小敏) 우시시 서기, 이석희 SK하이닉스 CEO, 최영삼 상하이 총영사

SK하이닉스가 중국 우시(無錫)에서 18일 확장팹(C2F) 준공식을 개최했다고 밝혔다. 기존 D램 생산라인 C2를 확장해 미세공정 전환에 따른 생산공간을 확보할 계획이다.

준공식 행사에는 리샤오민(李小敏) 우시시 서기, 궈위엔창(郭元强) 강소(江苏)성 부성장, 최영삼 상하이 총영사, 이석희 SK하이닉스 대표이사, 고객 및 협력사 대표 등 약 500명이 참석했다.

C2F는 건축면적 5만8000㎡(1만7500평, 길이 316m, 폭 180m, 높이 51m)의 단층 팹이다. 일부 클린룸 공사와 장비입고가 완료돼 D램 생산을 시작했다. 추가 클린룸 공사·장비입고 시기는 미정이다. 향후 시황을 고려해 결정할 예정이다.

SK하이닉스는 2006년 우시시에 첫 300mm 팹인 C2를 완공해 D램을 생산해왔다. 공정이 미세화 되면서 공정수 증가와 장비 대형화로 공간부족 문제가 발생했다. SK하이닉스는 생산공간 추가 확보를 위해 2017년 6월부터 약 2년간 총 9500억원을 투자해 C2F를 준공했다.

강영수 SK하이닉스 우시FAB담당 전무는 “C2F 준공으로 우시 팹의 중장기 경쟁력을 확보하게 됐다“며 “기존 C2 공장과 ‘원 팹(One FAB)’으로 운영하면서 우시 팹의 생산∙운영 효율을 극대화할 것”이라고 말했다.


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