인피니언테크놀로지스가 650V CoolSiC 하이브리드 절연 게이트 양극성 트랜지스터(IGBT) 디스크리트 제품군을 출시한다고 17일 밝혔다.
CoolSiC 하이브리드 제품군은 650V 트렌치스탑(TRENCHSTOP) 5 IGBT 기술과 유니폴라 구조의 쇼트키 배리어 CoolSiC 다이오드를 하나의 패키지에 통합한 칩이다. 순수 실리콘 솔루션과 고성능 실리콘카바이드(SiC) 모스펫( MOSFET) 디자인 사이의 가교 역할을 한다. 하이브리드 IGBT는 순수한 실리콘 디자인 보다 전자기 적합성과 시스템 신뢰성 향상에 유리하다.
쇼트키 배리어 다이오드의 유니폴라 특성은 빠르게 스위칭할 수 있도록 돕는다. 이 때 다이오드가 심한 발진이나 기생 턴온의 위험 가능성이 없다. 동작 시 거의 일정한 dv/dt 및 di/dt 값을 제공해 스위칭 손실을 크게 낮춰준다. 표준 실리콘 다이오드 솔루션과 비교해서 Eon은 최대 60%, Eoff는 최대 30%까지 감소된다.
출력 전력을 유지하면서 스위칭 주파수를 40%까지 높일 수 있다. 스위칭 주파수를 높이면 수동 부품의 크기를 줄이게 된다. 부품원가(BOM) 비용을 낮춰준다. 트렌치스탑 5 IGBT를 하이브리드 IGBT로 교체하면 설계 변경 없이 매 10kHz 스위칭 주파수에 효율이 0.1% 향상될 수 있다.
패키지는 TO-247-3핀 또는 TO-247-4핀 켈빈 이미터 중에서 선택할 수 있다. 켈빈 이미터 패키지의 네 번째 핀은 인덕턴스가 매우 낮은 이미터 제어 루프가 가능하게 한다. 총 스위칭 손실도 줄여준다.
이 외에도 DC-DC 파워 컨버터와 역률 보상PFC)에 활용될 수 있다. 배터리 충전 인프라, 에너지 저장 솔루션, 태양광 인버터, 무정전 전원장치(UPS), 서버, 텔레콤 SMPS 등에도 사용 가능하다.
