중국 메모리 굴기의 구체성과가 나왔다.
중국 현지 매체인 중관촌재선(中关村在线), 신즈쉰(芯智讯) 등에 따르면 즈광그룹(紫光集团, 칭화유니그룹)은 순수 독자 기술로 솔리드스테이트드라이브(SSD)를 출시할 예정이다.
즈광은 SATA와 NVMe 두 가지 기술 방식 SSD를 준비 중이다. 128기가바이트(GB)부터 1테라바이트(TB)까지 4가지 용량으로 출시될 예정이다. 현재 마지막 테스트 과정을 거치고 있다.
중관촌재선은 “즈광의 신형 SSD에는 자체 개발 컨트롤러와 독자 생산한 트리플레벨셀(TLC) 방식 64단 3D 낸드플래시 칩이 탑재될 것”이라고 보도했다. 업계에선 그러나 32단 3D 낸드플래시가 탑재될 것으로 추정했다. 즈광은 아직 64단 3D 낸드 양산에 돌입하지 못했기 때문이다.
신즈쉰 보도에 따르면 즈광그룹은 낸드칩 웨이퍼 가공부터 절단, 패키지 공정까지 일괄 진행한 것으로 전해진다.
중국 자체 기술로 개발된 SSD 성능은 어느 정도일까. 지난해 유출된 즈광 SSD의 벤치마크 테스트 수치로 대략 가늠이 가능하다. 벤치마크 프로그램인 크리스탈디스크마크 테스트 결과 순차 최대읽기 속도가 초당 500메가바이트(MB)를 웃돌았다.
신즈쉰은 “삼성이 최근 출시한 96단 TLC 기반 NVMe 제품인 970에보 플러스와 비교하면 여전히 성능이 많이 뒤처진다”면서도 “2016년 출시한 48단 TLC 기반 제품 850 에보보단 성능이 좋다”고 강조했다.
중국 매체는 즈광 등이 하나 둘 메모리를 국산화하기 시작하면 삼성전자나 SK하이닉스, 마이크론 같은 해외 업체에 타격을 줄 수 있을 것이라고 평가했다.
